
Add to Cart
Унмоунтед лазерный диод, Унмоунтед одиночный излучатель 2 ватта, 980 нм
Лазеры полупроводника сентерпьесе большей части из сегодняшних промышленных систем лазера. Ли сразу материальная обработка или оптически нагнетать твердотельных лазеров, лазеров волокна или лазеров диска, унмоунтед одиночных излучателей и баров ключевой компонент для начального преобразования электрической энергии в свет.
ХТОЭ фокусирует на технологии вафли полупроводника с 1998, поставляет мультимодную наивысшую мощность на длинах волн между 635 и 1064нм.
Параметры (25℃)
Параметр | Блок | КЛДМ-0980-2000-02 | |
---|---|---|---|
Оптически параметр | Сила по выхода | мВ | 2000 |
Разбивочное λк длины волны | нм | 980 ± 10 | |
⊥×θ∥ θ расхождения луча | дег | 40кс10 | |
ТРЕСКА | В | ≥ 4,00 | |
Геометрический | Ширина излучателя | μм | 150 |
Ширина | μм | 500 | |
Длина полости | μм | 1000 | |
Электрический параметр | Эффективность ес наклона | В/А | ≥ 0,9 |
Тх течения и порога | А | ≤ 0,5 | |
Рабочий ток иф | А | ≤ 2,5 | |
Рабочий потенциал вф | В | ≤ 2 |
Извещение
1. Извещение о деталя: КЛДМ (модель) деталя - 0980 (разбивочная длина волны) - 2000 (сила выхода) - 02.
2. Технические спецификации основаны на результате испытания под 25℃.
3. Технические спецификации основаны на испытании пакета К-держателя.
4. Для больше информации, пожалуйста контактируйте КО. оптической электроники Хи-техника, Лтд.