Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd
Add to Cart
Адвокатура лазерного диода наивысшей мощности 100 ватт, 808 Адвокатура лазерного диода нм ККВ Унмоунтед
Лазеры полупроводника сентерпьесе большей части из сегодняшних промышленных систем лазера. Ли сразу материальная обработка или оптически нагнетать твердотельных лазеров, лазеров волокна или лазеров диска, унмоунтед одиночных излучателей и баров ключевой компонент для начального преобразования электрической энергии в свет.
ХТОЭ фокусировало на технологии вафли полупроводника от 1998, поставляет мультимодную наивысшую мощность на длинах волн между 635 и 1064нм.
Параметры (25℃)
| Параметр | Блок | ЛДАК1-0808-0100 | |
| Оптически параметр | Режим деятельности | - | ККВ |
| Сила по выхода | В | 100 | |
| Разбивочное λк длины волны | нм | 808 ± 5 | |
| Геометрический | Фактор заполнения | - | 87% |
| Количество Унмоунтед одиночных излучателей | - | 100 | |
| Электрический параметр | Эффективность ес наклона | В/А | ≥1.2 |
| Тх течения и порога | А | ≤20 | |
| Рабочий ток иф | А | ≤100 | |
| Рабочий потенциал вф | В | ≤3 | |
Извещение
1. Извещение о деталя: ЛДАК1 (модель) - **** деталя (разбивочная длина волны) - **** (сила выхода).
2. Технические спецификации основаны на результате испытания под 25℃, шириной ИМПа ульс 200μс, частотой 1-100Хз, максимальным кругом обязаностей 2%, и типичным применением 0,4%.
3. Технические спецификации основаны на испытании пакета КС.
4. Для больше информации, пожалуйста контактируйте КО. оптической электроники Хи-техника, Лтд.