Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Одиночный лазер диода излучателя /

Лазерный диод излучателя материальной обработки одиночный работая в условии зазмеления

контакт
Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd
Город:beijing
Область/Штат:beijing
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissMi Tian
контакт

Лазерный диод излучателя материальной обработки одиночный работая в условии зазмеления

Спросите последнюю цену
Brand Name :HTOE
Model Number :LDM-0830-001W-*2
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :50 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :10-20 working days
Packaging Details :Paper Box
Output power :1 Watt
Lasing Wavelength :830±10 nm
Operating Current :≤1.3 A
Operating Voltage :≤2.0 V
Package :CoS/C-Mount
Welding Temperature :≤ 260 ℃
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

длина волны 830нм 1 ватт вывела наружу упакованный силой одиночный лазер диода излучателя

ЛДМ-0830-001В-*2 лазеры диода излучателя ХТОЭ ЛДМ упакованные серией одиночные. Они лазеры полупроводника полости Фабры-Перот основанные на эпитаксии Кванта-хорошо и дизайне структуры волновода гребня. Излучатели упакованные ХТОЭ одиночные обеспечивают превосходные надежность и представление. Комплексные конструирования включают К держателям, держателям КоС, К-держателям и Ф-держателям. Разбивочная длина волны включает 635нм, 650нм, 670нм, 785нм, 808нм, 830нм, 915нм, 940нм, 980нм и 1064 нм. Обеспечьте обслуживания формирования пучка как обжатие быстро-оси согласно покупательским спросам

 

Особенности:

  • 2 варианта пакета: КоС и К-держатель
  • длина волны центра 830нм
  • сила выхода 1 ватта
  • Высокое электрооптическое еффиенси
  • Высокая надежность

Применения

  • Материальная обработка
  • Освещение
  • Нагнетать лазера ДПСС

Параметры (20℃)

 

Упакованные КоС/К-Моунт определяют излучатель
Параметр Блок ЛДМ-0830-001В-*2
Оптически параметр Сила выхода В 1
Длина волны Ласинг нм 830±10
Спектральная ширина нм ≤3
Ширина площади поверхности эмиссии µм 50
Коэффициент температуры нм/℃ 0,30
Быстрое расхождение оси дег <40
Медленное расхождение оси дег <10
Электрический параметр Эффективность наклона В/А ≥1.03
Течение порога А ≤0.30
Рабочий ток А ≤1.30
Рабочий потенциал В ≤2.00
Другие Пакет - КоС/К-Моунт
Рабочая температура 15 | 30
Температура хранения -40 | 60
Температура заварки ≤260
 
Данные по пакета

Лазерный диод излучателя материальной обработки одиночный работая в условии зазмеления

Пакет КоС

 

Лазерный диод излучателя материальной обработки одиночный работая в условии зазмеления

Пакет К-держателя

 

Кривая функции

Лазерный диод излучателя материальной обработки одиночный работая в условии зазмеления

                                       Кривая кривой П-И-В спектральная

 

Извещение

 

1. Извещение о деталя модельное: ЛДМ (модель), 0830 деталя (разбивочная длина волны), 001В (сила) выхода, *2 (структура теплоотвода и ширина деталя).

2. Данные в листе все основаны на испытании теплоотвода пакета К-держателя.

3. Для больше информации, пожалуйста контактируйте КО. оптической электроники Хи-техника, Лтд.

4. лазерные диоды прибор ЭСД чувствительный, противостатические измерения должны быть подготовлены. Перед скомплектуйте вверх случай, убеждайтесь вы для того чтобы получить хорошее состояние зазмеления, в противном случае трубка лазера будет легко к нервному расстройству статическим электричеством, приводящ в отказе трубки лазера. Несите противостатический ремешок при работе с лазером.

5. Трубка лазера должна быть, который держат или работающ в сухой окружающей среде для предотвращения конденсации, конденсация может повредить трубку лазера.
6. В условиях высоких температур, она увеличит течение порога, понизит эффективность и ускорит ход вызревания трубки лазера.
7. Когда сила выхода более высоко чем определенные параметры, оно ускорит ход вызревания трубки лазера.

 

 

Метки товара:
Запрос Корзина 0