Ограничиваемое CO. электроники Topmatch (Сучжоу).
Do best to meet your technical in PCBs
Add to Cart
2.0mm DDR3, DDR4, Interposer PCBs гнезда LPDDR5, слой 4-2-4 штабелируют вверх
Выдвижения в архитектуре PCB с вставкой DDR4
Как ранее заявленный, ландшафт в поле компьютерной технологии в постоянн потоке. С натиском новых стандартов приходит потребность для изменения в архитектуре прибора. Это заявление поровну истинно при обращении к поколенческих стандартов изменяет от DDR3 на DDR4.
Эти выдвижения в оперативных запоминающих устройствах также приносят около значительный рост в общей характеристике. Поэтому, мочь использовать самый новый RAM требует изменений в дизайне PCB. Как раз по мере того как оно сделал когда стандарт для USB выдвинул от USB 2,0 к USB 3,0. Эти типы изменений непрерывны и необходимый как требование для больше мощности обработки, лучшего представления, и высоких уровней функциональности, продолжайтесь управлять выдвижением индустрии.
Хотя большинство людей не заметят или не увидят необходимые архитектурноакустические изменения требуемые дизайнами PCB, они не умаляют важность этих критических изменений.
2 . Спецификации:
| Имя | 2.0mm DDR3, DDR4 interposer PCBs |
| Количество слоев | 4-2-4 слои |
| Качественная ранг | Класс 2 IPC 6012, класс 3 IPC 6012 |
| Материал | Неэтилированные материалы |
| Толщина | 2.0mm |
| Минимальный след/дистанционирование | 3/3mil |
| Минимальный размер отверстия | сверлить лазера 0.075mm |
| Маска припоя | Зеленый цвет |
| Silkscreen | Белый |
| Поверхностный финиш | Золото погружения |
| Законченная медь | 1OZ |
| Время выполнения | 28-35 дней |
| Быстрое обслуживание поворота | Да |
Что изменения плана PCB необходимо для вставки DDR4?
DDR4 или двойной тариф данных 4 приходят в 2 отдельные типы модуля. So-DIMM или модули памяти небольшого плана двойные встроенные (260-pins) которые в пользе в портативных вычислительных приборах как ноутбуки. Другой тип модуля DIMM или двойные встроенные модули памяти (288-pins) которое в пользе в приборах как рабочие столы и серверы.
Так, первое изменение в архитектуре, конечно, благодаря отсчету штыря. Предыдущее итерирование (DDR3) использует 240 штырей для DIMM и 204 штыря для So-DIMM. Тогда как ранее упоминать, DDR4 использует 288 штырей для своего применения DIMM. С ростом штырей или контактов, DDR4 предлагает более высокие емкости DIMM, увеличенную целостность данных, более быструю скорость загрузки, и рост в энергетическом коэффициенте полезного действия.
Сопровождение этого общего улучшения в представлении также изогнутый дизайн (дно) который включает лучший, более безопасное приложение, и оно улучшает стабильность и прочность во время установки. Также, стендовые испытания которые подтверждают что DDR4 предлагает рост 50% представления и может достигнуть до 3 200 MTs (мега передачи в секунду).
Furthermore, оно достигает этих повышений представления несмотря на использование меньше силы; 1,2 вольта (в DIMM) вместо требования к 1,5 до 1,35 вольт своей предшественницы. Все из этих изменений значат что дизайнеры PCB должны переоценивать их подход к дизайна для вставки DDR4.
