Безшовное соответствие дисплея СИД соединения P4.81 крытое супер тонкое арендное высокое голодает соединение
Характеристики
1. Низкие уровни: потребление низкой мощности, малошумная созданная, низкаяся цена перевозки и низкая цена установки;
2. Новый дисплей СИД полн-цвета конструированный специально для проката этапа.
3. Различные применения: костюм для висеть вверх, складывая и фиксируя установка. Использование: напольная информация опубликовывает, напольная реклама, etc.;
4. Быстрое соединение
Нажмите, поверните и затяните, 3 шага законченного не познее 10 секунд.
5. Соорудите 4.8mm, плотность пиксела соответствующ для вашего требования знаков приема;
6. Новая конструкция структуры, может удовлетворять поднимать, overstow, крытые используемые требования. Упрощение шкафа, и различный тангаж пиксела крытых модулей такие любят P3, P4, P5, P6, P7.62, P8, P10 совместимы.
Спецификации
| Модель (крытая) |
EM-IR2.8 |
EM-IR3.9 |
EM-IR4.8 |
EM-IR5.9 |
EM-IR6.9 |
| Тангаж пиксела (mm) |
2.8mm |
3.9mm |
4.8mm |
5.9mm |
6.9mm |
| Яркость (² /m nits) |
1200 |
1200 |
1200 |
1200 |
1200 |
| Плотность пиксела |
² 118336dot/m |
² 65536dot/m |
² 43264dot/m |
² 28224dot/m |
² 20736dot/m |
| Конфигурация СИД |
SMD1515 |
SMD2121 |
SMD2121 |
SMD2121 |
SMD2121 |
| Размеры плитки (mm) |
500*1000 |
500*1000 |
500*1000 |
500*1000 |
500*1000 |
Расход энергии шкафа
(Макс/средний) |
200W/100W |
250W/100W |
240W/120W |
280W/150W |
250W/100W |
| Обновленный тариф |
≥960Hz |
≥960Hz |
≥960Hz |
≥960Hz |
≥960Hz |
| Номинальность IP |
IP43 |
IP43 |
IP43 |
IP43 |
IP43 |
| Сервисопригодность |
фронт/задий |
фронт/задий |
фронт/задий |
фронт/задий |
фронт/задий |
| Рабочая температура и влажность |
-30℃~+40℃/
10~90%RH
|
-30℃~+40℃/
10~90%RH
|
-30℃~+40℃/
10~90%RH
|
-30℃~+40℃/
10~90%RH
|
-30℃~+40℃/
10~90%RH
|
| Вес шкафа |
13.5kg |
13.5kg |
13.5kg |
13.5kg |
13.5kg |
| Угол наблюдения (H/V) |
H: 120°; V: 120° |
H: 120°; V: 120° |
H: 120°; V: 120° |
H: 120°; V: 120° |
H: 120°; V: 120° |
| Аттестации (опционные) |
ETL, CE, тип a FCC, RoHS |
|
|
|
Применение: Предпосылка этапа, крытые деятельности Etc.
