16 производитель профессионала платы с печатным монтажом ПКБ слоя ТГ170 высокий ТГ
Спецификация:
Размер доски: см 18*16
Толщина доски: 0.8мм
Медная фольга: 35УМ
Слой: 16
Параметр:
| Прототип высокой точности | Продукция большей части ПКБ |
Максимальные слои | 1-28 слоев | 1-14 слоев |
МИНИМАЛЬНАЯ линия ширина (мил) | 3мил | 4мил |
МИНИМАЛЬНАЯ линия космос (мил) | 3мил | 4мил |
Минута через (механический сверлить) | Доска тхикнесс≤1.2мм | 0.15мм | 0.2мм |
Доска тхикнесс≤2.5мм | 0.2мм | 0.3мм |
Доска тхикнесс>2.5мм | Аспект Ратион≤13: 1 | Аспект Ратион≤13: 1 |
Рацион аспекта | Аспект Ратион≤13: 1 | Аспект Ратион≤13: 1 |
Толщина доски | МАКС | 8мм | 7мм |
МИНУТА | 2 слоя: 0.2мм; 4 слоя: 0.35мм; 6 слоев: 0.55мм; 8 слоев: 0.7мм; 10 слоев: 0.9мм | 2 слоя: 0.2мм; 4 слоя: 0.4мм; 6 слоев: 0.6мм; 8лаерс: 0.8мм |
МАКСИМАЛЬНЫЙ размер доски | 610*1200мм | 610*1200мм |
Максимальная медная толщина | 0.5-6оз | 0.5-6оз |
Золото погружения
Толщина покрытая золотом | Золото погружения: Ау, 1-8у»
Палец золота: Ау, 1-150у»
Покрытое золото: Ау, 1-150у»
Покрытый никель: 50-500у» | |
Толстая отверстия медная | 25ум 1мил | 25ум 1мил |
Допуск | Толщина доски | Доска тхикнесс≤1.0мм: +/-0.1мм
1.0ммБоард тхикнесс>2.0мм: +/--8% | Доска тхикнесс≤1.0мм: +/-0.1мм
доска тхикнесс>2.0мм 1.0мм: +/--8% |
Допуск плана
| ≤100мм: +/-0.1мм
100<> >300мм: +/-0.2мм | ≤100мм: +/-0.13мм
100<> >300мм: +/-0.2мм |
Импеданс | ±10% | ±10% |
МИНИМАЛЬНЫЙ мост маски припоя | 0.08мм | 0.10мм |
Затыкать возможность Вяс | 0.25мм--0.60мм | 0.70мм--1.00мм |
Описание:
Тг температура стеклянного перехода. По мере того как воспламеняемость доски В-0 (УЛ 94-В0), поэтому если температура превышает обозначенный
значение тг, доска будет измененный от стекловидного государства на рубберы государство и после этого функция доски будет затронута.
Высокие материалы ТГ имеют лучшую механическую прочность, стабильность размера, адгезивность, абсорбцию влаги, термический распад,
и тепловое расширение чем нормальные пкбс ТГ.
Высокий материал Тг (ТГ170) также популярен в индустрии лигхитнг СИД, потому что тепловыделение СИД выше чем нормальный электронный
компоненты, тем ме менее такая же структура доски ФР4 гораздо дешевле чем это из метрал пкбс ядра, как алюминиевая доска.
