CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC Chip /

MT29F64G08CBABAWP: Масса микросхемы памяти 8GX8 пластиковая PBF TSOP 3.3V b Nand внезапная IC - хранение

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

MT29F64G08CBABAWP: Масса микросхемы памяти 8GX8 пластиковая PBF TSOP 3.3V b Nand внезапная IC - хранение

Спросите последнюю цену
Номер модели :MT29F64G08CBABAWP
Место происхождения :Малайзия
Количество минимального заказа :10pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :10000pcs
Срок поставки :в запасе 2-3days
Упаковывая детали :1000PCS/REEL
Описание :ВНЕЗАПНЫЙ - память IC 64Gbit параллельное 48-TSOP i NAND
Тип памяти :Слаболетучий
Формат памяти :ВСПЫШКА
Технология :ВСПЫШКА - NAND
Размер запоминающего устройства :64Gb (8G x 8)
Напряжение тока - поставка :2,7 V | 3,6 V
Рабочая температура :0°C | 70°C (ЖИВОТИКИ)
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

MT29F64G08CBABAWP:B IC Memory Chip NAND FLASH 8GX8 PLASTIC PBF TSOP 3.3V MASS STORGE (Массовое хранилище)

Особенности

• Открытый интерфейс NAND Flash (ONFI) 1.01

• Технология одноуровневых ячеек (SLC)

• Организация ️ Размер страницы x8: 2112 байтов (2048 + 64 байта) ️ Размер страницы x16: 1056 слов (1024 + 32 слова) ️ Размер блока: 64 страницы (128K + 4K байтов) ️ Размер самолета:2 плоскости x 2048 блоков на плоскость Размер устройства: 4Gb: 4096 блоков; 8Gb: 8192 блоков 16Gb: 16384 блоков

• Асинхронная производительность ввода/вывода tRC/tWC: 20 нс (3,3 В), 25 нс (1,8 В)

• Производительность массива Прочитайте страницу: 25μs 3

• Комплект команд: ONFI NAND Flash Protocol

• Усовершенствованный набор команд Программный режим кэша страницы4 Прочитать режим кэша страницы4 Одноразовый программируемый (OTP) режим Двухуровневые команды 4 Операции с перемещенным стержнем (LUN) Прочитать уникальный идентификатор Блокировать блокировку (1.8V только)

• Байт состояния операции обеспечивает программный метод для обнаружения завершение операции условия прохождения / отказа защиту от записи

• Сигнал Ready/Busy# (R/B#) обеспечивает аппаратный метод обнаружения завершения операции

• Сигнал WP#: Запишите защитить все устройство

Атрибуты продукта Выберите все
Категории Интегрированные схемы (IC)
  Память
Производитель Микрон Технологии Инк.
Серия -
Статус части Активный
Тип памяти Нелетающие
Формат памяти ФЛАСШ
Технологии Flash - NAND
Размер памяти 64 Гб (8 Гб x 8)
Напишите время цикла - слово, страница -
Интерфейс памяти Параллельно
Напряжение - питание 2.7 В ~ 3.6 В
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)

Запрос Корзина 0