CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC Chip /

CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) статическая оперативная память ic печатная плата ic

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) статическая оперативная память ic печатная плата ic

Спросите последнюю цену
Номер модели :CY62256NLL-70PXC
Место происхождения :первоначальный
Количество минимального заказа :5pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :290PCS
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :Пожалуйста свяжитесь я для деталей
Описание :SRAM - Асинхронная память IC 256Kbit параллельные 70 ns 28-PDIP
Температура хранения :. – 65°C к +150°C
Температура окружающей среды с силой прикладной :. -55°C к +125°C
Подача напряжения для того чтобы смолоть потенциал :– 0.5V к +7.0V
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта


CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) статическая оперативная память ic печатная плата ic


Функции

■ Температурные диапазоны

❐ Коммерческий: от 0°C до 70°C

❐ Промышленный: от –40°C до 85°C

❐ Автомобильная промышленность-A: от –40°C до 85°C

❐ Автомобильная промышленность-E: от –40°C до 125°C

■ Высокая скорость: 55 нс

■ Диапазон напряжения: от 4,5 до 5,5 В.

■ Низкая активная мощность

❐ 275 мВт (макс.)

■ Низкая мощность в режиме ожидания (версия LL)

❐ 82,5 мкВт (макс.)

■ Простое расширение памяти с помощью функций CE и OE

■ TTL-совместимые входы и выходы

■ Автоматическое отключение при отключении

■ CMOS для оптимальной скорости и мощности

■ Доступны бессвинцовые и несвинцовые 28-контактные (600-mil) PDIP,

28-контактный (300-мил) узкий SOIC, 28-контактный TSOP-I,

и 28-контактные реверсивные пакеты TSOP-I

Функциональное описание

CY62256N[1] представляет собой высокопроизводительную статическую RAM CMOS, организованную как 32K слов по 8 бит.Простое расширение памяти обеспечивается активным включением микросхемы LOW (CE) и активным включением выхода LOW (OE) и драйверами с тремя состояниями.Это устройство имеет функцию автоматического отключения питания, снижающую энергопотребление на 99,9%, если ее отключить.

Активный НИЗКИЙ сигнал разрешения записи (WE) управляет операцией записи/чтения памяти.Когда входы CE и WE имеют низкий уровень, данные на восьми контактах ввода/вывода данных (от I/O0 до I/O7) записываются в ячейку памяти, адресуемую адресом, присутствующим на адресных контактах (от A0 до A14).Чтение устройства выполняется путем выбора устройства и включения выходов CE и OE в состояние НИЗКИЙ, в то время как WE остается неактивным или ВЫСОКИМ.В этих условиях содержимое ячейки, к которой обращается информация об адресных выводах, присутствует на восьми выводах ввода/вывода данных.

Контакты ввода/вывода остаются в состоянии высокого импеданса, если не выбрана микросхема, выходы не включены, а разрешение записи (WE) не имеет ВЫСОКОГО уровня.

СПИСОК АКЦИЙ

CA1458E 1380 ИНТЕРСИЛ 15+ ОКУНАТЬ
7MBR50NF060 500 ФУДЗИ 16+ МОДУЛЬ
AD517JH 2450 ОБЪЯВЛЕНИЕ 13+ МОЖЕТ
2N6394 3000 НА 14+ ТО-220
2SA1385-Z-E1 3000 НЭК 16+ ТО-252
ASPC2R/STE2A 1600 НА 16+ QFP100
IRF710 1500 ИК 13+ СОП
BQ27510DRZR-G2 1560 ТИ 15+ КФН
IRF840 1500 ИК 16+ ТО-220
IRF740 1500 ИК 16+ СОП
ADG783BCPZ 2000 г. ОБЪЯВЛЕНИЕ 15+ LFCSP
АДМ3202АРНЗ 2000 г. ОБЪЯВЛЕНИЕ 15+ СОП-16
1Н4448В-7-Ф 9000 ДИОДЫ 13+ СОД123
IRF7389TR 1500 ИК 15+ СОП
HA13164AH 3460 УДАРЯТЬ 15+ ОКУНАТЬ
IRFR024N 1500 ИК 13+ ТО-252
HT9302G 2460 ХОЛТЕК 14+ ДИП-16
БТА08-600БВ 2100 СТ 13+ ТО-220
2СД1555 3000 ТОШИБА 13+ ТО-3П
2SK2996 3000 ТОШИБА 15+ ТО-220Ф
2SK2671 3000 ШИНДЭНГЕ 15+ ТО-220
2SK3451 3000 ФУДЗИ 16+ ТО-220Ф
AD574AJD 2450 ОБЪЯВЛЕНИЕ 16+ ДИП-28
4Н32 3000 ЛПС 15+ ДИП-6
2SC3997 3000 САНИО 15+ ТО-3ПЛ
2SC5148 3000 ТОШИБА 16+ ТО-3П
Запрос Корзина 0