CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC Chip /

M29W640FB70N6E Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок), 3 В питания, флэш-память

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

M29W640FB70N6E Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок), 3 В питания, флэш-память

Спросите последнюю цену
Номер модели :M29W640FB
Место происхождения :Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :8400pcs
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :Пожалуйста свяжитесь я для деталей
Описание :ВСПЫШКА - НИ память IC 64Mbit параллельные 70 ns 48-TSOP
Температура под смещением :– °C 50 до 125
Температура хранения :– °C 65 до 150
Напряжение тока входного сигнала или выхода :– 0,6 до VCC +0,6 v
Подача напряжения :– 0,6 до 4 v
Напряжение тока идентификации :– 0,6 до 13,5 v
Напряжение тока программы :– 0,6 до 13,5 v
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

M29W640FB Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок) 3 В питание флэш-памяти

Обзор функций

• Напряжение питания

- ВCC= от 2,7 В до 3,6 В для программ, стирания, чтения

- ВПП=12 В для быстрой программы (дополнительно)

• Асинхронное случайное чтение/чтение страницы

- Ширина страницы: 4 слова

– Доступ к странице: 25 нс

– Произвольный доступ: 60 нс, 70 нс

• Время программирования

– 10 мкс на байт/слово, тип.

– Программа 4 слова/8 байт

• 135 блоков памяти

– 1 загрузочный блок и 7 блоков параметров по 8 КБ каждый (верхнее или нижнее расположение)

– 127 основных блоков по 64 КБ каждый

• Контроллер программирования/стирания

– Встроенные алгоритмы Byte/Word Program

• Программирование/удаление приостановки и возобновления

– Чтение из любого блока во время приостановки программы

- Чтение и программирование другого блока во время приостановки стирания

• Команда разблокировки программы обхода

– Более быстрое производство/пакетное программирование

• ВППВывод /WP для быстрой программы и защиты от записи

• Режим временного снятия защиты с блокировки

• Общий интерфейс флэш-памяти

– 64-битный код безопасности

• Блок расширенной памяти

– Дополнительный блок, используемый в качестве блока безопасности или для хранения дополнительной информации

• Низкое энергопотребление

– Режим ожидания и автоматический режим ожидания

• 100 000 циклов программирования/стирания на блок

• Электронная подпись

– Код производителя: 0020h

Максимальный рейтинг

Нагрузка на устройство выше номинала, указанного в таблице абсолютных максимальных значений, может привести к необратимому повреждению устройства.Воздействие условий абсолютного максимального рейтинга в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства.Это только номинальные нагрузки, и работа устройства в этих или любых других условиях, превышающих указанные в разделах «Эксплуатация» данной спецификации, не подразумевается.См. также программу STMicroelectronics SURE и другие соответствующие документы по качеству.

Абсолютные максимальные значения

Символ Параметр Мин. Макс Единица
ТПРЕДВЗЯТОСТЬ Температура при смещении –50 125 °С
ТСТГ Температура хранения -65 150 °С
ВИО Входное или выходное напряжение(1)(2) –0,6 ВCC+0,6 В
ВCC Напряжение питания –0,6 4 В
ВИДЕНТИФИКАТОР Идентификационное напряжение –0,6 13,5 В
ВПП (3) Напряжение программы –0,6 13,5 В

1. Минимальное напряжение может опускаться до –2 В во время перехода и менее 20 нс во время переходов.

2. Максимальное напряжение может превысить VCC +2 В во время перехода и менее чем за 20 нс во время перехода.

3. ВППне должен оставаться под напряжением 12 В более 80 часов.

Пакеты

Логическая схема

TSOP-соединения

Соединения TFBGA48(Вид сверху через упаковку)

Запрос Корзина 0