CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
Транзистор Mosfet силы HEXFET, модуль IRF7329 mosfet силы
? Технология канавы?
Ультра низкое На-сопротивление
? Двойной MOSFET P-канала
?
Низкопрофильный (<1>
Доступный в ленте & вьюрке?
Неэтилированный
Описание
Новые MOSFETs силы P-канала HEXFET® от международного выпрямителя тока используют предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с усиливанным дизайном прибора которого MOSFETs силы HEXFET известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений. SO-8 было доработано через подгонянное leadframe для увеличенных термальных характеристик и возможности множественн-плашки делая его идеальным в разнообразие применениях силы. С этими улучшениями, множественные приборы можно использовать в применении с драматически уменьшенным космосом доски. Пакет конструирован для участка пара, инфракрасного, или метода волны паяя
| Параметр | Максимальный. | Блоки | |
| VDS | Напряжение тока источника стока | -12 | V |
| ЖИВОТИКИ ID @ = 25°C | Непрерывное течение стока, VGS @ -4.5V | -9,2 | |
| ID @ TA= 70°C | Непрерывное течение стока, VGS @ -4.5V -7,4 | -7,4 | |
| IDM | Пульсированное течение стока? | -37 | |
| PD @TA = 25°C | Диссипация силы? | 2,0 | W |
| PD @TA = 70°C | Диссипация силы? | 1,3 | |
| Линейный коэффициент снижения номинальной мощности | 16 | mW/°C | |
| VGS | Напряжение тока Ворот-к-источника | ± 8,0 | V |
| TJ, TSTG | Диапазон температур соединения и хранения | -55 до + 150 | °C |