
Add to Cart
NC7SZ04M5X | 5000 | ФЭЙРЧАЙЛД | 15+ | SOT23-5 |
PCA82C251 | 5000 | 12+ | SOP-8 | |
PZTA42T1G | 5000 | НА | 16+ | SOT223 |
RBV5006 | 5000 | EIC | 12+ | RBV-4 |
RUEF250 | 5000 | RAYCHEM | 16+ | ПОГРУЖЕНИЕ |
ST3232ECDR | 5000 | ST | 16+ | SOP-16 |
SW-289 | 5000 | MA/COM | 16+ | SOP14 |
TL072CDR | 5000 | TI | 16+ | SOP8 |
TL7705BCP | 5000 | TI | 16+ | SOP8 |
TPS2041BDBVR | 5000 | TI | 14+ | SOT23-5 |
TPS5430DDAR | 5000 | TI | 16+ | SOP8 |
TCT UCLAMP0511P | 5000 | SEMTECH | 16+ | MICREL |
ULN2003ADRG3 | 5000 | TI | 15+ | SOP16 |
SN75C1406N | 5002 | TI | 16+ | SOP-16 |
B340A-13-F | 5008 | DOIDES | 15+ | SMA |
REG1117-3.3 | 5008 | BB | 12+ | SOT223 |
SST25VF032B-80-4I-S2AF | 5010 | SST | 16+ | SOP8 |
TPS79730DCKR | 5018 | TI | 12+ | SC70-5 |
2SC3355 | 5100 | NEC | 16+ | TO-92 |
DAC0808LCN | 5100 | NSC | 16+ | DIP16 |
FDS4435 | 5100 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | SOP-8 |
LT1963EST-2.5 | 5100 | LT | 16+ | SOT-223 |
X5045P | 5100 | XICOR | 16+ | DIP8 |
DAC7554IDGS | 5110 | TI | 14+ | MSOP-10 |
AM26LV32IDR | 5120 | TI | 16+ | SOP16 |
CS51412EDR8G | 5120 | НА | 16+ | SOP8 |
LM2940T-12 | 5120 | NS | 15+ | TO-220 |
LM6132BIMX | 5120 | NS | 16+ | SOP8 |
RC5057M | 5120 | ФЭЙРЧАЙЛД | 15+ | SOP16 |
SN75ALS180DR | 5120 | TI | 12+ | SOP-14 |
UGN3503UA | 5120 | АЛЛЕГРО | 16+ | TO-92 |
BD241C | 5123 | FSC | 12+ | TO-220 |
ОСОБЕННОСТИ
• P-канал
• Поверхностный держатель (IRFR9214/SiHFR9214)
• Прямое руководство (IRFU9214/SiHFU9214)
• Предварительный технологический прочесс
• Быстрое переключение
• Полно расклассифицированная лавина
• Доступное руководства (Pb) свободное от
ОПИСАНИЕ
MOSFETs силы третьего поколения от Vishay используют предварительные методы обработки достигнуть низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным дизайном прибора что MOSFETs силы известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений. DPAK конструировано для поверхностной установки используя участок пара, инфракрасный, или методы волны паяя. Прямая версия руководства (серия IRFU/SiHFU) для установки через-отверстия
применения. Уровни до 1,5 w диссипации силы
возможный в типичных поверхностных применениях держателя.