CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Количество | Бренд | D/C | Пакет |
| MAX191BCWG+ | 2338 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SOIC-24 |
| MAX1932ETC+T | 3044 | СЕНТЕНЦИЯ | 13+ | QFN |
| MAX232EIDR | 50000 | TI | 13+ | SOP-16 |
| MAX232IDW | 9003 | TI | 11+ | SOP-16 |
| MAX253CSA+ | 6562 | СЕНТЕНЦИЯ | 14+ | SOP-8 |
| MAX3051EKA+T | 3853 | СЕНТЕНЦИЯ | 14+ | SOT-23 |
| MAX3061EEKA | 4024 | СЕНТЕНЦИЯ | 15+ | SOT23-8 |
| MAX3070EESD | 5557 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SOP-14 |
| MAX31865ATP+T | 3707 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | QFN20 |
| MAX3221ECPWR | 3059 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3224ECAP | 4095 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SSOP-20 |
| MAX3232CPWR | 5697 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CUE | 3986 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | TSSOP |
| MAX3232EIDR | 3667 | TI | 16+ | SOP-16 |
| MAX3238ECPWR | 8331 | TI | 10+ | TSSOP |
| MAX3243CDBR | 3590 | TI | 14+ | SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR | 6741 | TI | 09+ | SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ+ | 553 | СЕНТЕНЦИЯ | 13+ | NA |
| MAX3311CUB | 2302 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3311EEUB | 2324 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3442EEPA+ | 3095 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | DIP-8 |
| MAX3442EESA+T | 5829 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SOP-8 |
| MAX3486CSA | 15889 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SOP-8 |
| MAX3490CSA+ | 11077 | СЕНТЕНЦИЯ | 13+ | SOP-8 |
| MAX4080SASA+T | 15089 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SOP-8 |
| MAX418CPD | 3034 | СЕНТЕНЦИЯ | 14+ | DIP-14 |
| MAX4624EZT | 15171 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4663CAE | 2151 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SSOP-16 |
| MAX472CPA | 4115 | СЕНТЕНЦИЯ | 15+ | DIP-8 |
| MAX491CPD+ | 14840 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
Zener-защищенный MOSFET SuperMESH™Power
■ТИПИЧНОЕ Ω 1,76 RDS (дальше) =
■ВЕСЬМА ВЫСОКАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv/dt
■ЛАВИНА 100% ИСПЫТАЛА
■ОБЯЗАННОСТЬ ВОРОТ УМЕНЬШИЛА
■ОЧЕНЬ НИЗКИЕ ВНУТРЕННЕПРИСУЩИЕ ЕМКОСТИ
■ОЧЕНЬ ХОРОШЕЕ ИЗГОТОВЛЯЯ REPEATIBILITY
ОПИСАНИЕ
Серия SuperMESH™ получена через весьма оптимизирование плана PowerMESH™ ST солидного stripbased. В дополнение к нажимать на-сопротивление значительно вниз, позабочен особый уход обеспечить очень хорошую возможность dv/dt для самых требовательных применений. Такая серия комплектует полный диапасон ST высоковольтных MOSFETs включая революционные продукты MDmesh™.
ПРИМЕНЕНИЯ
■СИЛЬНОТОКОВОЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
■ИДЕАЛ ДЛЯ ОФФЛАЙНОВЫХ ЭЛЕКТРОПИТАНИЙ, ПЕРЕХОДНИКОВ И PFC
■ОСВЕЩЕНИЕ
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК
| Символ | Параметр | Значение | Блок | ||
|
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 |
STP4NK60ZFP |
STD4NK60Z STD4NK60Z-1 |
|||
| VDS | напряжение тока Сток-источника (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | напряжение тока Сток-ворот (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Напряжение тока источника ворот | ± 30 | V | ||
| ID | Стеките настоящее (непрерывный) на TC = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
| ID | Стеките настоящее (непрерывный) на TC = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
| IDM (•?) | (Пульсированное) течение стока | 16 | 16 (*) | 16 | |
| PTOT | Полная диссипация на TC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| Коэффициент снижения номинальной мощности | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Источник ESD ворот (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 3000 | V | ||
| dv/dt (1) | Пиковый наклон напряжения тока спасения диода | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | Изоляция выдерживает напряжение тока (DC) | - | 2500 | - | V |
|
Tj Tstg |
Работая температура соединения Температура хранения |
-55 до 150 -55 до 150 |
°C | ||
(•??) ширина ИМПа ульс ограничиваемая безопасной рабочей зоной
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ v VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX Tj.
(*) ограничил только максимальной позволенной температурой