CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Electronic IC Chips /

Транзистор 2SC5200 Mosfet силы транзистора кремния NPN эпитаксиальный

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

Транзистор 2SC5200 Mosfet силы транзистора кремния NPN эпитаксиальный

Спросите последнюю цену
Номер модели :2SC5200
Место происхождения :Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа :20pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :10000pcs
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :Пожалуйста свяжитесь я для деталей
Ток базы :1,5 a
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

2SC5200/FJL4315

Транзистор кремния NPN эпитаксиальный

Применения

• Высококачественный усилитель аудио выхода

• Общецелевой усилитель силы

Особенности

• Сильнотоковая возможность: IC = 15A.

• Диссипация наивысшей мощности: 150watts.

• Высокочастотный: 30MHz.

• Высокое напряжение: VCEO=230V

• Широкое S.O.A для надежной деятельности.

• Превосходные линеарности увеличения для низкого THD.

• Комплект к 2SA1943/FJL4215.

• Термальные и электрические модели специи доступны.

• Такой же транзистор также доступен внутри:

-- Пакет TO3P, 2SC5242/FJA4313: 130 ватт

-- TO220 пакет, FJP5200: 80 ватт

-- Пакет TO220F, FJPF5200: 50 ватт

Абсолютный максимум животиков Ratings* = 25°C если не указано иное

Символ Параметр Оценки Блоки
BVCBO Напряжение тока коллектора- база 230 V
BVCEO Напряжение тока коллектор- эмиттера 230 V
BVEBO Напряжение тока Излучател-основания 5 V
IC Течение сборника (DC) 15
IB Ток базы 1,5
PD

Полная диссипация прибора (TC =25°C)

Derate над 25°C

150

1,04

W

W/°C

TJ, TSTG Температура соединения и хранения - 50 | +150 °C

* эти оценки ограничивающие величины над которыми сервисопригодность любого полупроводникового устройства может быть повреждена.

Термальное Characteristics* Ta=25°C если не указано иное

Символ Параметр Макс Блоки
RθJC Термальное сопротивление, соединение, который нужно покрывать 0,83 °C/W

* прибор установленный на минимальном размере пусковой площадки

классификация hFE

Классификация R O
hFE1 55 | 110 80 | 160

Типичные характеристики

Размеры пакета

Запрос Корзина 0