CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
Пластиковый mosfet силы DarliCM GROUPon комплементарный, транзисторы силы 2N6038 кремния
Пластиковые транзисторы силы кремния DarliCM GROUPon комплементарные конструированы для общецелевого усилителя и low−speed переключая применений.
• Высокое увеличение DC настоящее — hFE = 2000 (тип) @ IC = 2,0 Adc
• Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя — @ mAdc 100
VCEO (sus) = 60 Vdc (минута) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc
(Минута) — 2N6036, 2N6039
• Передняя склоненная возможность второго нервного расстройства настоящая IS/b = 1,5 Adc @ 25 Vdc
• Монолитовая конструкция с встроенными резисторами Основани-излучателя к умножению LimitELeakage
• Пакет коэффициента TO-225AA Представлени-к-цены Космос-сбережений высокий пластиковый
| Оценка | Символ | Значение | Блок |
|
Напряжение тока 2N6034 Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
Vdc |
|
Напряжение тока 2N6034 Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
Vdc |
| Напряжение тока Emitter−Base | VEBO | 5,0 | Vdc |
|
Течение сборника Непрерывный Пик |
IC |
4,0 8,0 |
Adc Apk |
| Ток базы | IB | 100 | mAdc |
|
Полная диссипация прибора @ TC = 25°C Derate над 25°C |
PD |
40 320 |
W mW/°C |
|
Полная диссипация прибора @ TC = 25°C Derate над 25°C |
PD |
1,5 12 |
W mW/°C |
| Диапазон температур соединения работать и хранения | TJ, Tstg | – 65 до +150 | °C |
| Характеристика | Символ | Макс | Блок |
| Термальное сопротивление, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор. Максимальные оценки оценки стресса только. Функциональная деятельность над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевается. Расширенное подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора.
| Характеристика | Символ | Минута | Макс | Блок |
| С ХАРАКТЕРИСТИК | ||||
|
Напряжение тока Collector−Emitter терпя (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
Vdc |
|
Течение Collector−Cutoff (VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
uA |
|
Течение Collector−Cutoff (VCE = 40 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
uA |
|
Течение Collector−Cutoff (VCB = 40 Vdc, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
| Течение Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 Vdc, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ | ||||
|
Увеличение DC настоящее (IC = 0,5 Adc, VCE = 3,0 Vdc) (IC = 2,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) (IC = 4,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15 000 -- |
-- |
|
Напряжение тока сатурации Collector−Emitter (IC = 2,0 Adc, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 Adc, IB = mAdc 40) |
VCE (сидел) |
-- -- |
2,0 3,0 |
Vdc |
|
Напряжение тока сатурации Base−Emitter (IC = 4,0 Adc, IB = mAdc 40) |
VBE (сидел) | -- | 4,0 | Vdc |
|
Base−Emitter на напряжении тока (IC = 2,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) |
VBE (дальше) | -- | 2,8 | Vdc |
| ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ | ||||
|
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1,0 MHz) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
|
Емкость выхода (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0,1 MHz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Удар |
-- -- |
200 100 |
pF |
*Indicates JEDEC зарегистрировали данные.