
Add to Cart
Оригинал транзистора кремния транзистора NPN Pin 2SC5242 3 эпитаксиальный
Транзистор 2SC5242 кремния NPN эпитаксиальный
Применения
• Высококачественный усилитель аудио выхода
• Общецелевые особенности усилителя силы
• Сильнотоковая возможность: IC = 15A
• Диссипация наивысшей мощности: 130watts
• Высокочастотный: 30MHz.
• Высокое напряжение: VCEO=230V
• Широкое S.O.A для надежной деятельности.
• Превосходные линеарности увеличения для низкого THD.
• Комплект к 2SA1962/FJA4213.
• Термальные и электрические модели специи доступны
• Такой же транзистор также доступен внутри: --Пакет TO264,
2SC5200/FJL4315: 150 ватт --Пакет TO220,
FJP5200: 80 ватт --Пакет TO220F, FJPF5200: 50 ватт
Абсолютный максимум животиков Ratings* = 25°C если не указано иное
Символ | Параметр | Оценки | Блоки |
BVCBO | Напряжение тока коллектора- база | 230 | V |
BVCEO | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 230 | V |
BVEBO | Напряжение тока Излучател-основания | 5 | V |
IC | Течение сборника (DC) | 15 | |
IB | Основное течение | 1,5 | |
PD | Полная диссипация прибора (TC=25°C) Derate над 25°C |
130 1,04 |
W W/°C |
TJ, TSTG | Температура соединения и хранения | -50-+150 | °C |
* эти оценки ограничивающие величины над которыми сервисопригодность любого полупроводникового устройства может быть повреждена.
Термальное Characteristics* Ta=25°C если не указано иное
Символ | Параметр | МАКСИМАЛЬНЫЙ. | Блок |
RθJC | Термальное сопротивление, соединение, который нужно покрывать | 0,96 | W/°C |
* прибор установленный на минимальном размере пусковой площадки