CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
Комплементарный полупроводник Mosfet MJ15025G транзисторов силы кремния
− MJ15023 PNP, MJ15025*
Транзисторы силы кремния
MJ15023 и MJ15025 транзисторы силы PowerBase конструированные для аудио наивысшей мощности, позиционеров диска главных и других линейных применений.
Особенности
• Высокая безопасная рабочая зона (испытанное 100%) −2 a @ 80 v
• Высокое hFE − настоящего увеличения DC = 15 (минута) @ IC = 8 Adc
• Пакеты Pb−Free Available*
MJ1502x = код прибора
x = 3 или 5
G = пакет Pb−Free
= положение собрания
Y = год
WW = неделя работы
MEX = страна происхождения
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Прибор | Пакет | Доставка |
| MJ15023 | TO−204 | 100 блоков/поднос |
| MJ15023G |
TO−204 (Pb−Free) |
100 блоков/поднос |
| MJ15025 | TO−204 | 100 блоков/поднос |
| MJ15025G |
TO−204 (Pb−Free) |
100 блоков/поднос |
2 ограничения на powerhandling способности транзистора: средняя температура соединения и второе нервное расстройство. Безопасные кривые рабочей зоны показывают что − VCE IC ограничивается транзистора которым необходимо наблюдать для надежной деятельности; т.е., транзистору необходимо подвергнуть к большей диссипации чем кривые показывают.
Данные диаграммы 1 основаны на TJ (pk) = 200C; TC переменн в зависимости от условий. На высоких температурах случая, термальные ограничения уменьшат силу которую можно обращаться к значениям более менее чем ограничения наведенные вторым нервным расстройством.
ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ