CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
| MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
| MURS140 | 25000 | НА | 16+ | DO-214 |
| BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI | |
| PESD5V2S2UT | 25000 | 16+ | SOT | |
| LM26CIM5-TPA | 5000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| CM1200HB-66H | 213 | MITSUBI | 14+ | МОДУЛЬ |
| LPC11C24FBD48 | 4833 | 15+ | LQFP-48 | |
| CM30TF-24H | 313 | MITSUBI | 15+ | МОДУЛЬ |
| 7MBR50SB120 | 230 | ФУДЗИ | 12+ | МОДУЛЬ |
| MAX209EWG | 7850 | СЕНТЕНЦИЯ | 14+ | SOP |
| LXT970AQC | 4907 | LEVELONE | 10+ | QFP |
| MSP430FG4619IPZ | 6834 | TI | 16+ | LQFP |
| NCP1052ST136T3G | 9280 | НА | 16+ | SOT-223 |
| MAX17121ETG | 6550 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | QFN |
| MAC97A6 | 25000 | НА | 16+ | TO-92 |
| MPC89E58AF | 5910 | MEGAWIN | 16+ | PQFP |
| CS4398-CZZR | 2234 | ЦИРРУС | 15+ | TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I | 3070 | РЕШЕТКА | 15+ | QFP |
| ME0550-02DA | 595 | IXYS | 14+ | IGBT |
| MDD26-14N1B | 5902 | IXYS | 16+ | IGBT |
| MT9V024IA7XTM | 2499 | НА | 15+ | BGA |
| MCC21-1408B | 4756 | IXYS | 14+ | IGBT |
| CM100DU-24NFH | 378 | MITSUBI | 15+ | МОДУЛЬ |
| 6RI100E-080 | 958 | ФУДЗИ | 15+ | МОДУЛЬ |
| PM150RSD060 | 250 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PK160F-160 | 120 | SANREX | 11+ | МОДУЛЬ |
| LC540 | 3081 | TI | 15+ | TSSOP |
| OP20FZ | 596 | ОБЪЯВЛЕНИЕ | 16+ | CDIP |
| PCA9554PWR | 12420 | TI | 16+ | TSSOP |
| M1494NC180 | 479 | WESTCODE | 14+ | МОДУЛЬ |
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | МОДУЛЬ |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
? ►Предварительный процесс
►Технология? Динамическая оценка dv/dt?
►рабочая температура 175°C?
►Быстрое переключение?
►Полно расклассифицированная лавина?
►Легкость проходить параллельно?
►Простые требования к привода
►? Неэтилированный
Описание
MOSFETs силы пятого поколения HEXFET® от международного выпрямителя тока используют предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным дизайном прибора которой MOSFETs силы HEXFET известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая цена пакета TO-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении индустрии.
D2Pak поверхностный пакет силы держателя способный на приспосабливать, который нужно умереть размеры до HEX-4. Оно обеспечивает возможность самой высокой силы и предельно низкое onresistance в любом существующем поверхностном пакете держателя. D2Pak соответствующее для сильнотоковых применений из-за своего низкого внутреннего сопротивления соединения и может рассеять до 2.0W в типичном поверхностном применении держателя.
Версия через-отверстия (IRF640NL) доступна для lowprofile применения