CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC Chip /

Неэтилированный транзистор Mosfet канала n, транзистор IRF640NPBF Mosfet 200V 18A высокоскоростной

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

Неэтилированный транзистор Mosfet канала n, транзистор IRF640NPBF Mosfet 200V 18A высокоскоростной

Спросите последнюю цену
Номер модели :IRF640NPBF
Место происхождения :Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :100000pcs
Срок поставки :1-3days
Упаковывая детали :КОРОБКА
Описание :N-канал 200 v 18A (Tc) 150W (Tc) до отверстие TO-220AB
Серия :MOSFET N-CH Trans
Применение :Коммерчески-промышленные применения
Пакет :Trans ПОГРУЖЕНИЯ
Напряжение тока :200V
Качество :Низкое На-сопротивление в кремний
Настоящий :18A
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Канал 200V 18A Trans n ПОГРУЖЕНИЯ IRF640NPBF переключая транзистор силы MOSFET

Описание

MOSFET s силы ® пятого поколения HEXFET от международного выпрямителя тока использует предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным дизайном прибора которой MOSFETs силы HEXFET известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая цена пакета TO-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении индустрии.
D2Пакповерхностныйпакетсилыдержателяспособныйнаприспосабливать, которыйнужноумеретьразмерыдоHEX-4. Онобеспечиваетвозможностьсамой высокойсилыипредельно низкоенасопротивлениивлюбомсуществующемповерхностномпакетедержателя. D2Паксоответствующийдлясильнотоковыхпримененийиз-засвоегонизкоговнутреннегосопротивлениясоединенияиможетрассеятьдо2.0Wвтипичномповерхностномприменениидержателя.
Версия через-отверстия (IRF640NL) доступна для применения низкопрофильного.


Особенность

l выдвинул технологический прочесс

l динамическая оценка dv/dt
l 175°C работая emperature t

l быстрое переключение

l полно расклассифицированная лавина
l легкость проходить параллельно
l простые требования к привода

l неэтилированный

Пакет

Запрос Корзина 0