Shenzhen Winsun Technology Co., Ltd.
ООО Шэньчжэнь Winsun технология
Add to Cart
Транзистор 2СД822/Д822/интегральная схемаа ИК
ОСОБЕННОСТИ
Диссипация силы
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (ТА=25°К если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блоки |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 40 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 30 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 3 | А |
| ПД | Диссипация силы сборника | 1,25 | В |
| ТДЖ | Температура соединения | 150 | °К |
| Цтг | Температура хранения | -55-150 | °К |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Тамб=25°К если не указано иное)
| Параметр | Символ | Условия испытаний | МИНУТА | ТИП | МАКС | БЛОК |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК = 100μА, ИЭ=0 | 40 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК = 10мА, ИБ=0 | 30 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | ИЭ= 100μА, ИК=0 | 5 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= 40 В, ИЭ=0 | 1 | μА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ= 30 В, ИБ=0 | 10 | μА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 6 В, ИК=0 | 1 | μА | ||
| Увеличение ДК настоящее | хФЭ | ВКЭ= 2 в, ИК= 1А | 60 | 400 | ||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК= 2А, ИБ= 0,2 а | 0,5 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК= 2А, ИБ= 0,2 а | 1,5 | В | ||
| Частота перехода | фТ | ВКЭ= 5В, ИК=0.1А ф =10МХз | 90 | МХз |
КЛАССИФИКАЦИЯ хФЭ
| Ряд | Р | О | И | ГР |
| Ряд | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Детали контакта:
Контакт: Анджел Солнце
Телефон: +86-13528847020
Электронная почта: Admin@winsunhk.cn
Скыпе: Ангельсун618
Вхацапп: 13528847020
Вечат: 13528847020
КК: 553695308