CO. технологии электроники Гуандуна Huixin, Ltd.

Great Wisdom Huixin Innovations Unlimited

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Low Voltage Mosfet /

Mosfets транзистора поля канала 0.22A BSS138 0.35W n

контакт
CO. технологии электроники Гуандуна Huixin, Ltd.
Город:dongguan
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsMarissa Wang
контакт

Mosfets транзистора поля канала 0.22A BSS138 0.35W n

Спросите последнюю цену
Номер модели :BSS138
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :3000пкс
Условия оплаты :Т/Т, МонейГрам
Способность поставки :1 миллиард штук / месяц
Срок поставки :4-5векс
Упаковывая детали :3000pcs/вьюрок
Тип :MOSFET N-канала 50-V (D-S)
материал :Кремний
Пакет :СОТ-23
Напряжение тока Сток-источника :50В
Непрерывное течение стока :0.22А
Диссипация силы :0.35В
Применения :Драйверы: реле, соленоиды, лампы, молотки, дисплей, память, транзисторы и т. Д.
Особенности :Прочный и надежный
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
 
SOT-23 Пластмасс-помещают MOSFETS
 
BSS138 MOSFET N-канала 50-V (D-S)
 
 
 
V (BR) DSS RDS (дальше) МАКС ID
50 v 3.5Ω@10V 220mA
6Ω@4.5V

 

 

BSS138 SOT-23 Datasheet.pdf

 

 
ОСОБЕННОСТИ
 
 
1. Дизайн клетки высокой плотности для весьма - низкого RDS (дальше)
2.Rugged и Relaible
 
 
ПРИМЕНЕНИЯ
 
 
на уровне Логик интерфейс 1.Direct: TTL/CMOS
2.Drivers: Реле, соленоиды, лампы, молотки, дисплей, памяти, транзисторы, etc.
3.Battery привелось в действие системы
4. Полупроводниковые реле
 
 
 
Максимальные оценки (Ta=25℃ если не указано иное)
 
 
Параметр Символ Значение Блок
Напряжение тока Сток-источника VDS 50 V
Непрерывное напряжение тока Ворот-источника VGSS ±20
Непрерывное течение стока ID 0,22
Диссипация силы PD 0,35 W
Термальное сопротивление от соединения к окружающему RθJA 357 ℃/W
Рабочая температура Tj 150
Температура хранения Tstg -55 ~+150
 
 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (℃ Ta=25 если не указано иное)
 
 
Параметр Символ Условие испытаний Минута Тип Макс Блоки
С характеристик
пробивное напряжение Сток-источника V (BR) DSS VGS = 0V, ID =250µA 50     V
утечка Ворот-тела IGSS VDS =0V, VGS =±20V     ±100 nA
Нул течений стока напряжения тока ворот IDSS VDS =50V, VGS =0V     0,5 µA
VDS =30V, VGS =0V     100 nA
На характеристиках
напряжение тока Ворот-порога (примечание 1) VGS (th) VDS =VGS, ID =1MA 0,80   1,50 V
Статическое на-сопротивление сток-источника (примечание 1) RDS (дальше) VGS =10V, ID =0.22A     3,50
VGS =4.5V, ID =0.22A     6
Передний transconductance (примечание 1) gFS VDS =10V, ID =0.22A 0,12     S
Характеристики динамической чувствительности (примечание 2)
Входная емкость Ciss VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz   27   pF
Емкость выхода Coss   13  
Обратная емкость передачи Crss   6  
Переключая характеристики
Время задержки включения (примечание 1,2) td (дальше) VDD =30V, VDS =10V, ID =0.29A, RGEN =6Ω     5 ns
Время восхода (примечание 1,2) tr     18
Время задержки поворота- (примечание 1,2) td ()     36
Время падения (примечание 1,2) tf     14
характеристики диода тела Сток-источника
Пропускное напряжение диода тела (примечание 1) VSD =0.44A, VGS = 0V     1,4 V
 
 
Примечания:
1. тест ИМПа ульс; Ширина ИМПа ульс ≤300µs, круг обязаностей ≤2%.
2. Эти параметры не имеют никакой путь подтвердить.
 
 
 
Запрос Корзина 0