продукты Поставщики Sign in Register

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты /

Вафля Sic эпитаксиальная

Категории продукта

Вафля GaN эпитаксиальная

 [68]

Вафля Sic эпитаксиальная

 [33]

Эпи-пластина GaAs

 [15]

CVD-алмазные подложки

 [15]

Быстрая термальная обжигая система

 [2]

Тестер датчика Холла

 [3]

Вафля нитрида алюминия

 [21]

Обломок лазерного диода

 [10]

Кремниевый карбид Кристл

 [12]

Ga2O3 пластина

 [13]

кремниевая пластина

 [26]

Вафля сапфира

 [19]

Сделанные по образцу субстраты сапфира

 [10]

Держатель вафли тефлона

 [1]

Машина для нарезки вафель

 [5]
контакт
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Xiwen Bai (Ciel)
контактная информация
контакт
1 - 10 из 33

 Вафля Sic эпитаксиальная
China 4 дюйма 4H-SiC Субстрат P-уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Сопротивляемость≥1E5Ω·cm Для мощной микроволновой печи for sale

4 дюйма 4H-SiC Субстрат P-уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Сопротивляемость≥1E5Ω·cm Для мощной микроволновой печи

Субстрат P на уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·см для приборов силы и микроволны Обзор SiC исп......
контакт

Add to Cart
China 4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи for sale

4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи

JDCD03-002-001 4-дюймовая подложка 4H-SiC P-уровень SI 500,0±25,0 мкм MPD≤0,3/см2 Удельное сопротивление≥1E9Ω·см для силовых и микроволновых устройств...
контакт

Add to Cart
China 4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см for sale

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см

4-дюймовая подложка 4H-SiC D-уровень N-типа 350,0±25,0 мкм MPD≤5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см для силовых и микроволновых устр...
контакт

Add to Cart
China C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский for sale

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

C-сторона вафли JDCD03-001-004 SiC эпитаксиальная: Оптически польское, Si-сторона: CMP Обзор Оно включает рост кристаллов одного материала н......
контакт

Add to Cart
China 6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской for sale

6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской

6-дюймовая подложка 4H-SiC N-типа P-SBD класса 350,0 ± 25,0 мкк MPD≤0,5/см2Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см для мощности и мик......
контакт

Add to Cart
China подложка вафли СиК эпитаксиальной вафли 4Х СиК для фотонных приборов ИСО9001 for sale

подложка вафли СиК эпитаксиальной вафли 4Х СиК для фотонных приборов ИСО9001

Эпитаксиальная пластина 4H SiC ≤0,2 /см2 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм JDCD03-001-004 Обзор Эпитаксальная пластина предст......
контакт

Add to Cart
China Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы for sale

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы

Субстрат P на уровне 4H-N/SI260μm±25μm JDCD03-001-001 2-дюймовый SiC для приборов силы и приборов микроволны Обзор Уникальные электронные и терм......
контакт

Add to Cart
China вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm for sale

вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm

вафля ≤0.2 /Cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•Cm-0.025Ω•См 150,0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Обзор Вафли 200 mm можно использовать для раз......
контакт

Add to Cart
China Ранг MOS p SBD p уровня p вафли SiC Epi 2 дюймов ранг ранг 150.0mm d for sale

Ранг MOS p SBD p уровня p вафли SiC Epi 2 дюймов ранг ранг 150.0mm d

Субстрата P на уровне P-SBD SiC ранга P-MOS ранг d 2-дюймового ранг 150,0 mm +0mm/-0.2mm Субстрат P на уровне 4H-N/SI260μm±25μm JDCD03-001-001 2-дюйм....
контакт

Add to Cart
China 150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая for sale

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая

150,0 мм +0 мм/-0,2 мм Эпитаксиальная пластина Sic вне оси: 4 ° в направлении <11-20> ± 0,5 ° JDCD03-001-004 Обзор Пластина S......
контакт

Add to Cart
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4