Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная / продукты / GaN Epitaxial Wafer / Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n /

show pictures

контакт
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Xiwen Bai (Ciel)
контакт

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
  • Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
продукты подробные
C-сторона 2inch ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0=""> Обзор Высококачественные субстра...
список продуктов, подробные →