Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная / продукты / Silicon Wafer /

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G

контакт
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Xiwen Bai (Ciel)
контакт

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Место происхождения :Сучжоу Китай
Количество минимального заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :50000pcs/month
Срок поставки :3-4 рабочих дня
Упаковывая детали :Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Номер модели :JDCD06-001-002
Метод роста :CZ
Диаметр :2"
Ранг :Основной
Ориентация :<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Толщина (мкм) :279
Допуск толщины :Стандартное ± 25μm, максимальное ± 5μm возможностей
резистивность :0.001-100 ом-см
Законченное поверхностное :P/E, P/P, E/E, G/G
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Кремниевая пластина P/E, P/P дискретных приборов 2-дюймовая, E/E, законченное поверхностное G/G

2-дюймовые приборы кремниевой пластины MEMS, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов


Обзор

Кремний второй общий элемент на земле и седьмой-больше всего общий элемент во всей вселенной. Оно самые общие полупроводник и наиболее широко используемые в электронном и технологическом секторе.

Во время процесса роста преднамеренные добавления dopants можно добавить, что к изменили очищенность кремния в зависимости от чего цель ее будет. Эти введенные примеси могут изменить электрические свойства кремния, который может быть полезен в зависимости от чего кремний в конечном счете производится для.

Спецификация

кремниевая пластина

Диаметр

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Ранг Основной
Метод роста CZ
Ориентация <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Тип/Dopant Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb
Толщина (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Допуск толщины Стандартное ± 25μm, максимальное ± 5μm Capabilit/ies
Резистивность 0.001-100 ом-см
Законченное поверхностное P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Стандарт <10>
Смычок/искривление Стандарт <40>
Частица <10>

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Запрос Корзина 0