Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная / продукты / Silicon Wafer /

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное

контакт
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Xiwen Bai (Ciel)
контакт

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Место происхождения :Сучжоу Китай
Количество минимального заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :50000pcs/month
Срок поставки :3-4 рабочих дня
Упаковывая детали :Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Номер модели :JDCD06-001-002
Диаметр :2"
Ранг :Основной
Метод роста :CZ
резистивность :0.001-100 ом-см
Законченное поверхностное :P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) :Стандартное <10μm, максимальное Capabilities<5μm
Смычок/искривление :Стандартное <40μm, максимальное Capabilities<20μm
Частица :<10>
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Основное 2" кремниевая пластина TTV (μm) стандартный <10>m, максимальное Capabilitiesm<5>

2-дюймовые приборы кремниевой пластины MEMS, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов


Обзор

Подвергая механической обработке результаты представления Si с 2-различными резистивностями обсужены используя плашк-тонуть метод микро-электрической разрядки подвергая механической обработке пока меняющ параметры энергии разрядки. Кроме того, жар-помогать романом микро-электрический метод машины разрядки выполнен для подвергать Si механической обработке без любого проводного включили слоя, который.

Спецификация

кремниевая пластина

Диаметр

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Ранг Основной
Метод роста CZ
Ориентация <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Тип/Dopant Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb
Толщина (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Допуск толщины Стандартное ± 25μm, максимальное ± 5μm Capabilit/ies
Резистивность 0.001-100 ом-см
Законченное поверхностное P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Стандарт <10>
Смычок/искривление Стандарт <40>
Частица <10>

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Запрос Корзина 0