Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная / продукты / GaN Epitaxial Wafer /

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP

контакт
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Xiwen Bai (Ciel)
контакт

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :JDWY03-001-031
Место происхождения :Сучжоу Китай
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :10000pcs/Month
Срок поставки :3-4 рабочих дня
Упаковывая детали :Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Название продукта :синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД
Толщина :650 ± 25μm
Ориентация :Самолет c (0001) с угла к ± 0.1° M-оси 0,2
Тип :Плоский сапфир
Польский :Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)
Размер :100 ± 0.2mm
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP

4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфировом SSP

Принцип работы светодиодов основан на полупроводниковом PN-переходе.PN-переход в полупроводнике представляет собой границу между двумя областями полупроводника с разным легированием.p-сторона легирована акцепторными примесями, такими как бор, у которых на один валентный электрон меньше по сравнению с валентной оболочкой полупроводника, а N-сторона легирована донорными примесями, такими как фосфор, у которых есть один дополнительный электрон на валентной оболочке по сравнению с полупроводником.

4-дюймовая сине-зеленая светодиодная пластина GaN-on-Sapphire

Субстрат

Тип Плоский сапфир

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP

польский Односторонняя полировка (SSP) / Двусторонняя полировка (DSP)
Измерение 100 ± 0,2 мм
Ориентация Плоскость С (0001) под углом к ​​оси М 0,2 ± 0,1°
Толщина 650 ± 25 мкм

Эпислой

Состав 0,2 мкм pGaN/0,5 мкм МКЯ/2,5 мкм nGaN/2,0 мкм uGaN
Толщина 5,5 ± 0,5 мкм
Шероховатость (Ра) <0,5 нм
Плотность дислокаций < 5 × 108см-2
Длина волны Синий светодиод Зеленый светодиод
465 ± 10 нм 525 ± 10 нм
Длина волны на полувысоте < 25 нм < 40 нм
Производительность чипа Напряжение включения при 1 мкА 2,3-2,5 В 2,2-2,4 В
Полезная площадь > 90% (исключение краевых и макродефектов)

Упаковка

Упаковано в чистом помещении в один вафельный контейнер

О нас

Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.

Часто задаваемые вопросы

В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.

Запрос Корзина 0