STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

CO. ЭЛЕКТРОНИКИ STJK (HK), ОГРАНИЧИВАЛОСЬ Качественная во-первых, репутация во-первых, обслуживает во-первых, клиентов сперва.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / IC Connectors /

EP2C20Q240I7N QFP врезало-Fpga вентильную матрицу поля Программируемый совершенно новую и первоначальную Обломок интегральной схемаы

контакт
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
Город:hong kong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrTom Guo
контакт

EP2C20Q240I7N QFP врезало-Fpga вентильную матрицу поля Программируемый совершенно новую и первоначальную Обломок интегральной схемаы

Спросите последнюю цену
Номер модели :EP2C20Q240I7N
Количество минимального заказа :>=1pcs
Способность поставки :50000 акр/акров в Day+pcs+2-3days
Срок поставки :2-3Days
Упаковывая детали :Первоначальная фабрика загерметизировала упаковку со стандартными типами: трубка, поднос, лента и вь
Место происхождения :Китай
Условия оплаты :L/C, D/P, T/T, западное соединение, , D/A
Сила выхода :Стандарт
Протокол :Стандарт
Рабочий потенциал :5V
Рабочая температура :-40℃ | 85℃
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

EP2C20Q240I7N QFP врезало-Fpga обломок вентильной матрицы поля Программируемый совершенно новый и первоначальный интегральной схемаы

ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ

Номер детали EP2C20Q240I7N изготовлен ALTERA и распределен Stjk. Как один из ведущих раздатчиков электронных продуктов, мы носим много электронных блоков от изготовителей мира верхних.

Для больше информации на EP2C20Q240I7N детальные спецификации, цитаты, времена выполнения, условия оплаты и больше, пожалуйста не смутитесь связаться мы. Для обработки вашего дознания, пожалуйста добавьте количество EP2C20Q240I7N к вашему сообщению. Отправьте электронную почту в stjkelec@hotmail.com для цитаты теперь.

СВОЙСТВА ПРОДУКТА

Состояние продукта
Активный
Тип FET
N-канал
Технология
MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)
200 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C
62A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)
10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @
5V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs
99 nC @ 10 v
Vgs (Макс)
±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
7230 pF @ 25 v
Особенность FET
-
Диссипация силы (Макс)
260W (Tc)
Рабочая температура
-55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип
Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика
² ПАК D (TO-263)
Пакет/случай
TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB

EP2C20Q240I7N QFP врезало-Fpga вентильную матрицу поля Программируемый совершенно новую и первоначальную   Обломок интегральной схемаы

EP2C20Q240I7N QFP врезало-Fpga вентильную матрицу поля Программируемый совершенно новую и первоначальную   Обломок интегральной схемаы

EP2C20Q240I7N QFP врезало-Fpga вентильную матрицу поля Программируемый совершенно новую и первоначальную   Обломок интегральной схемаы

EP2C20Q240I7N QFP врезало-Fpga вентильную матрицу поля Программируемый совершенно новую и первоначальную   Обломок интегральной схемаы

Запрос Корзина 0