Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
ОТПИ
Тип FET :N-канал 2 (двойной)
статус продукта :Активный
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS) :25 В
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет :Трубка
Серия :LS5912C
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0) :7 мА @ 10 В
Пакет изделий поставщика :8-SOIC
Напряжение тока - id выключения (VGS) @ :1 В @ 1 НА
Мощность - Макс :500 мВт
Мфр :Линейные интегрированные системы, Inc.
Операционная температура :-55°C ~ 150°C (TJ)
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds :5pF @ 10V
Пакет / чемодан :8-SOIC (0,154", 3,90 мм ширины)
Описание :JFET 2N-CH 25V 8SOIC
more