Место происхождения :Гуандун, Китай
Номер модели :BLF188XR
тип :интегральная схемаа, привод IC
Описание :Транзисторы
Напряжение тока - нервное расстройство :135 v
Частота - переключение :108MHz
Сила (ватты) :1400W
Операционная температура :-
Тип установки :LDMOS (двойной), общий источник
Напряжение питания (мин.) :50 v
Напряжение тока - поставка (Макс) :240,4 дБ
Напряжение тока - выход :Поднос
Текущий объем производства/канал :Активный
Частота :40 мам
Заявления :LDMOS (двойной), общий источник
Тип FET :SOT-539A
Текущий объем производства (Макс) :SOT539A
Питание током :BLF188
Напряжение - питание :-
Частота - максимум :-
Сила - Макс :-
Толерантность :-
Функция :Дискретные транзисторы продуктов полупроводника
Напряжение - внутреннее :FET, MOSFET - RF
Частота - выключение или центр :-
Настоящий - утечка (()) (Макс) :-
Изолированная сила :-
Напряжение тока - изоляция :-
Текущий объем производства высокий, низкий :-
Настоящий - пиковая мощность :-
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип) :-
Настоящий - DC передний (если), то (Макс) :-
Тип входного сигнала :-
Тип выхода :-
Отношение выходного тока к току на входе (минута) :-
Отношение выходного тока к току на входе (Макс) :-
Напряжение - выход (макс.) :-
Напряжение тока - с государства :-
Статическое dV/dt (минута) :-
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс) :-
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс) :-
Импеданс :-
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный :-
Частота LO :-
Частота RF :-
Ряд входного сигнала :-
Выходная мощность :-
(Низкий/максимум) :-
Спецификации :-
Размер/размер :-
Модуляция или протокол :-
интерфейс :-
Сила - выход :-
Размер запоминающего устройства :-
Протокол :-
Модуляция :-
Последовательные интерфейсы :-
GPIO :-
Использованные IC/часть :-
Стандарты :-
Стиль :-
Тип памяти :-
Writable память :-
Сопротивление (омы) :-
Перекрестная ссылка :-
Подробная информация об упаковке :Стандартная упаковка, антистатическая упаковка
Порт :Шэньчжэнь, Китай/Гонконг
Способность к поставкам :99999 часть/частей в Месяц
more