Место происхождения :Гуандун, Китай
Номер модели :ADS1100A0IDBVR
Напряжение питания :Общее
Номер части :ADS1100A0IDBVR
Продолжительность :В наличии
Оплата :Обеспечение Paypal/TT/Trade/кредитная карточка
Тип :интегральная схемаа
Описание :ADS1100
Напряжение - сбой :--
Частота - переключение :--
Мощность (Ватт) :-
Операционная температура :- стандартный
Тип установки :-
Напряжение питания (мин.) :-
Напряжение тока - поставка (Макс) :--
Напряжение тока - выход :-
Текущий объем производства/канал :-
Частота :-
Заявления :Активный
Тип FET :-
Текущий объем производства (Макс) :-
Текущее - поставка :-
Напряжение - питание :--
Частота - максимум :-
Мощность - Макс :-
Толерантность :-
Функция :-
Напряжение - внутреннее :-
Частота - выключение или центр :-
Настоящий - утечка (()) (Макс) :--
Изолированная сила :-
Напряжение тока - изоляция :-
Ток - Выход высокий, низкий :-
Настоящий - пиковая мощность :-
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип) :-
Настоящий - DC передний (если), то (Макс) :-
Тип ввода :--
Тип выхода :-
Отношение выходного тока к току на входе (минута) :-
Отношение выходного тока к току на входе (Макс) :-
Напряжение - выход (макс.) :--
Напряжение - отключено :-
Статическое dV/dt (минута) :-
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс) :-
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс) :-
Импеданс :-
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный :-
Частота LO :-
RF частота :-
Ряд входного сигнала :-
Выходная мощность :--
(Низкий/максимум) :-
Спецификации :-
Размер / Размер :-
Модуляция или протокол :-
Интерфейс :-
Мощность - выход :-
Размер памяти :-
Протокол :---
Модуляция :-
Последовательные интерфейсы :-
GPIO :-
Использованные IC/часть :-
Стандарты :-
Стиль :-
Тип памяти :--
Writable память :-
Сопротивление (Омм) :-
Ссылки :-
Подробная информация об упаковке :Лучший пакет
Порт :Шэньчжэнь/HK
Способность к поставкам :10000 часть/частей в День
Минимальное количество заказа :10 штук
more