Место происхождения :Гуандун, Китай
Номер модели :SST25VF016B-50-4C-S2AF
Номер части :SST25VF016B-50-4C-S2AF
Организация памяти :2M x 8
Интерфейс памяти :ППИ
Частота работы часов :50 МГц
Напишите время цикла - слово, страница :10с
Пакет / чемодан :8-SOIC
Тип :интегральная схемаа
Описание :-
Напряжение - сбой :-
Частота - переключение :-
Мощность (Ватт) :-
Операционная температура :- 0°C ~ 70°C (TA)
Тип установки :-, Поверхностный держатель
Напряжение питания (мин.) :-
Напряжение тока - поставка (Макс) :-
Напряжение тока - выход :-
Текущий объем производства/канал :-
Частота :-
Заявления :-
Тип FET :-
Текущий объем производства (Макс) :-
Текущее - поставка :-
Напряжение - питание :- 2,7В ~ 3,6В
Частота - максимум :-
Мощность - Макс :-
Толерантность :-
Функция :-
Напряжение - внутреннее :-
Частота - выключение или центр :-
Настоящий - утечка (()) (Макс) :-
Изолированная сила :-
Напряжение тока - изоляция :-
Ток - Выход высокий, низкий :-
Настоящий - пиковая мощность :-
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип) :-
Настоящий - DC передний (если), то (Макс) :-
Тип ввода :-
Тип выхода :-
Отношение выходного тока к току на входе (минута) :-
Отношение выходного тока к току на входе (Макс) :-
Напряжение - выход (макс.) :-
Напряжение - отключено :-
Статическое dV/dt (минута) :-
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс) :-
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс) :-
Импеданс :-
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный :-
Частота LO :-
RF частота :-
Ряд входного сигнала :-
Выходная мощность :-
(Низкий/максимум) :-
Спецификации :-
Размер / Размер :-
Модуляция или протокол :-
Интерфейс :-
Мощность - выход :-
Размер памяти :- 16 Мбит
Протокол :-
Модуляция :-
Последовательные интерфейсы :-
GPIO :-
Использованные IC/часть :-
Стандарты :-
Стиль :-
Тип памяти :-
Writable память :-
Сопротивление (Омм) :-
Ссылки :-
Подробная информация об упаковке :ESD/Вакуум/Пенопласт/Картоны
Порт :Шэньчжэнь/Гонконг
Способность к поставкам :10000 штук в неделю
Минимальное количество заказа :10 штук
more