Категории продукта

Интегральная схемаа микроконтроллера

[16]

Диод полупроводника

[10]

контакт

Ограничиваемая электроника Шэньчжэня Res

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:Mrwilson zhong

контактная информация

контакт

China Канал 20V 9A 8WDFN Mosfet p транзистора NTTFS3A08PZTAG wholesale

Канал 20V 9A 8WDFN Mosfet p транзистора NTTFS3A08PZTAG

Спросите последнюю цену

Номер модели :NTTFS3A08PZTAG

Место происхождения :Америка

Упаковывая детали :Первоначальный пакет

Количество минимального заказа :discussible

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram

Способность поставки :месяц 10000pcs/one

Срок поставки :3~10 дней

Тип :Mosfet

Тип пакета :WDFN-8

Тип поставщика :Первоначальный изготовитель, ODM, агенство, розничный торговец, другое

Средства массовой информации доступные :схема данных, фото, EDA/CAD моделирует, другое

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) :20 v

Рабочая температура :-55 ℃ ℃~150

Устанавливать тип :Поверхностный держатель

Пакет/случай :WDFN-8, WDFN-8

Количество элементов :1

Количество штырей :8

Максимальная рабочая температура :°C 150

конфигурация элемента :одиночный

Минимальная рабочая температура :-55 °C

Время восхода :56 ns

Rds на Макс :mΩ 6,7

RoHS :Уступчивый

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

P-канал MOSFETs одиночный P-CH 20V 9A 8WDFN FETs транзисторов NTTFS3A08PZTAG

Описание продуктов:

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET силы P-канала

2. wdfn держателя 840mW P-канала 20V 9A (животиков) (животики) поверхностное 8 (3.3x3.3)

3. EP T/R MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN Trans

4. компоненты -20V, - 15A, 6.7m, сила MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG канала p

Улучшите вашу эффективность:

Универсальный соответствовать соединителей индукторов резистора конденсатора транзистора диода IC обслуживания Kitting списка электронных блоков BOM

Res имеет профессиональную команду быстро для того чтобы соответствовать и закавычить для вас.
Требование к времени:
Время цитаты: < 1mins=""> < 3mins=""> Срок поставки: < 24="" hrs=""> < 48="" hrs=""> < 72="" hrs=""> Время PCB: < 72="" hrs=""> < 7="" days=""> Время PCBA: < 5="" days=""> * вышеуказанные данные только применимы к нормальным материалам во времени бездействия.

Технологические параметры:

Тип FET	P-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	20 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	9A (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	2.5V, 4.5V
Rds на (Макс) @ id, Vgs	6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @	1V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	56 nC @ 4,5 v
Vgs (Макс)	±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	5000 pF @ 10 v
Диссипация силы (Макс)	840mW (животики)
Рабочая температура	-55°C \| 150°C (TJ)
Устанавливать тип	Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика	8-WDFN (3.3x3.3)
Низкопробный номер продукта	NTTFS3

Изображение продукта:

Проверка качества

производственный процесс 1.Every имеет особенного человека, который нужно испытать для обеспечения качества

профессиональные инженеры 2.Have для проверки качества

продукты 3.All проходили CE, FCC, ROHS и другие аттестации

Метки товара: