Совершенно новый первоначальный обломок обломока BSS138K IC IC интегральной схемаы
Продукты Описание:
MOSFET BSS138K N-канала, 220 мам, Vds=50 v, пакет 3-Pin SOT-23
Транзисторы влияния поля режима повышения (FETs) произведены используя технологию плотности клеток DMOS Фэйрчайлда запатентованную высокую. Этот процесс высокой плотности конструирован для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства, обеспечивающ крепкое и надежное представление и быстрое переключение.
Фэйрчайлд предлагает большое портфолио приборов MOSFET включая низшее напряжение высокого напряжения (>250V) (<250v>
MOSFETs Фэйрчайлда обеспечивают превосходную надежность дизайна путем уменьшение выступать и превышения напряжения тока для уменьшения емкости соединения и обратной обязанности спасения, держа системы вверх и бежать более длиной без дополнительных внешних компонентов
MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Trans
Стрессы превышая абсолютный максимум оценок могут повредить прибор. Прибор не может действовать или не порекомендован быть действующим над порекомендованными эксплуатационными режимами и усиливать части к этим уровням. Кроме того, выдвинутое подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора. Оценки Theabsolute максимальные оценки стресса только
Технологические параметры:
| сопротивление Сток-источника |
1,6 Ω |
| Мощность рассеяния |
0,35 w |
| Напряжение тока Сток-источника (Vds) |
50 v |
| Входная емкость (Ciss) |
58pF @25V (Vds) |
| Метод установки |
Поверхностный держатель |
| пакет |
SOT-23-3 |
| Упаковка |
Лента & вьюрок (TR) |
| Изготовляя применения |
управление силы |
| Стандарт RoHS |
RoHS уступчивое |
| стандарт руководства |
Неэтилированный |
