STGP7H60DF
Gate-Emitter Leakage Current :250 nA
Product Category :IGBT Transistors
Mounting Style :Through Hole
Continuous Collector Current at 25 C :14 A
Pd - Power Dissipation :88 W
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :600 V
Package / Case :TO-220-3
Maximum Operating Temperature :+ 175 C
Maximum Gate Emitter Voltage :20 V
Packaging :Tube
Configuration :Single
Collector-Emitter Saturation Voltage :1.95 V
Manufacturer :STMicroelectronics
Description :IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
more
Посмотреть описание продукта
STGP7H60DF, от STMicroelectronics, IGBT Transistors.what мы предложить иметь конкурентоспособную цену в мировом рынке, которые в первоначальных и новых частях. Если вы хотел были бы знать больше о продуктах или приложить более низкую цену, то пожалуйста свяжитесь мы через «онлайн болтовню» или отправьтесь цитату к нам!