Главная / продукты / Транзисторы IGBT /

IHW30N135R3FKSA1

Категории продукта

Аудио особенная цель

Конвертеры DC AC, автономные переключатели

DSP (процессоры цифрового сигнала)

FPGAs (вентильная матрица поля Programmable)

Специализированные ICs

Магнитный решетка

контакт

CO. обслуживаний администрации предприятия шелкового пути Пекин, LTD

Посетите вебсайт

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsXia

контактная информация

контакт

China IHW30N135R3FKSA1 wholesale

China IHW30N135R3FKSA1 wholesale

IHW30N135R3FKSA1

Спросите последнюю цену

Gate-Emitter Leakage Current :100 nA

Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C :60 A

Pd - Power Dissipation :349 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1350 V

Package / Case :TO-247-3

Maximum Operating Temperature :+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage :20 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :2 V

Manufacturer :Infineon Technologies

more

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Метки товара:

SMJ320VC5416HFGW10

ATF1504AS-10AU44

N25Q128A11ESE40F-N

Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4