Категории продукта

контакт

CO. обслуживаний администрации предприятия шелкового пути Пекин, LTD

Посетите вебсайт

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsXia

контактная информация

контакт

SI7619DN-T1-GE3

Спросите последнюю цену

Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :3V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :PowerPAK® 1212-8

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :50 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :21mOhm @ 10.5A, 10V

FET Type :P-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :30 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :1350 pF @ 15 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :TrenchFET®

Supplier Device Package :PowerPAK® 1212-8

Mfr :Vishay Siliconix

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :24A (Tc)

Power Dissipation (Max) :3.5W (Ta), 27.8W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :SI7619

Description :MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Метки товара:

AT93C46A-SI2.7

K9F1G08UOD-SIB0

K9F1G08UOD-SIBO

Запрос Корзина 0

SI7619DN-T1-GE3

Аудио особенная цель

Конвертеры DC AC, автономные переключатели

DSP (процессоры цифрового сигнала)

FPGAs (вентильная матрица поля Programmable)

Специализированные ICs

Магнитный решетка

SI7619DN-T1-GE3

AT93C46A-SI2.7

K9F1G08UOD-SIB0

K9F1G08UOD-SIBO