Категория продукции :MOSFET
Vgs (макс.) :± 20 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C :120А (Тс)
Тип FET :N-канал
Тип установки :Через дыру
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs :120 нКл при 10 В
Производитель :Infineon Technologies
Минимальное количество :1
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) :10 В
Операционная температура :-55°C ~ 175°C (TJ)
Особенность FET :-
Серия :HEXFET®
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds :4520 пФ при 50 В
Пакет изделий поставщика :TO-262
Статус части :Активный
упаковка :Трубка
Rds On (Max) @ Id, Vgs :4,2 мОм при 75 А, 10 В
Диссипация силы (Макс) :230 Вт (Тс)
Пакет / чемодан :TO-262-3 длиной водит, я ² Пак, TO-262AA
Технологии :MOSFET (металлическая окись)
Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 150µA
Напряжение отхода к источнику (Vdss) :60 В
Описание :MOSFET N-CH 60V 120A до 262
more