Категория продукции :MOSFET
Vgs (макс.) :± 20 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C :32A (Ta), 180A (Tc)
Тип FET :N-канал
Тип установки :Поверхностный монтаж
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs :74nC @ 4,5 В
Производитель :Infineon Technologies
Минимальное количество :4800
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) :4.5В, 10В
Операционная температура :-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Особенность FET :-
Серия :HEXFET®
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds :6190pF @ 15В
Пакет изделий поставщика :MX DIRECTFET™
Статус части :Активный
упаковка :Лента и катушка (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :1.7 мОм @ 32А, 10В
Диссипация силы (Макс) :2.8W (Ta), 89W (Tc)
Пакет / чемодан :MX DirectFET™ равновеликий
Технологии :MOSFET (металлическая окись)
Vgs(th) (Max) @ Id :2.35V @ 100µA
Напряжение отхода к источнику (Vdss) :30 В
Описание :MOSFET N-CH 30V 32A ДИРЕКТФЕТ
more