FJNS3205RTA

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Одиночные биполярные транзисторы с

Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100 МА

Статус продукта :Старый

Тип транзистора :NPN - Пре-пристрастное

Частота - переходный период :250 МГц

Тип установки :Через дыру

Пакет :Лента и коробка (TB)

Серия :-

Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :300mV @ 500µA, 10mA

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В

Пакет изделий поставщика :TO-92S

Резистор - основа (R1) :4,7 кОм

Мфр :ОНСЕМИ

Резистор - база излучателя (R2) :10 kOhms

Ток - предел коллектора (макс.) :100nA (ICBO)

Мощность - Макс :300 мВт

Пакет / чемодан :TO-226-3, тело краткости TO-92-3

Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :30 @ 5mA, 5В

Номер базовой продукции :FJNS32

Описание :TRANS PREBIAS NPN 300 MW TO92S

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - предварительно предвзятый 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW через отверстие TO-92S

Запрос Корзина 0

Процессор микроконтроллера