Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная / продукты / GaN Epitaxial Wafer /

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

контакт
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Xiwen Bai (Ciel)
контакт

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :JDCD01-001-017
Место происхождения :Сучжоу Китай
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :10000pcs/Month
Срок поставки :3-4 рабочих дня
Упаковывая детали :Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Размеры :² 5 x 10mm
Толщина :350 ±25µm
TTV :≤ 10µm
Смычок :- µm≤ 10 ОБХВАТЫВАЕТ µm ≤10
Плотность дефекта макроса :² 0cm⁻
Название продукта :(20-21)/(20-2-1) смотрите на свободно стоящие субстраты GaN
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0="">


Обзор
Генеративная враждебная сеть (GAN) имеет 2 части: Генератор учит произвести правдоподобные данные. Произведенные примеры будут отрицательными тренируя примерами для различителя. Различитель учит различить данные по генератора поддельные от реальных данных.

(20до 21)/(20до 2до 1) смотрите на свободно стоящие субстраты GaN
Деталь GaN-FS-SP-U-S GaN-FS-SP-N-S GaN-FS-SP-SI-S

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

Примечания:

Угол дуги круга (r < 2="" mm="">

Размеры 5 x 10 mm2
Толщина µm 350 ±25
Ориентация

(20-21)/(20-2 до 1) самолет с угла к -оси 0 ±0.5°

(20-21)/(20-2 до 1) самолет с угла к C-оси - 1 ±0.2°

Тип кондукции N типа N типа Полу-изолировать
Резистивность (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·см
TTV µm ≤ 10
СМЫЧОК - 10 µm ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µm
Шершавость лицевой поверхности

< 0="">

или < 0="">

Задняя шероховатость поверхности

0,5 μm ~1,5

вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0="">

Плотность дислокации От 1 x 105 до 3 x 106 см-2
Плотность дефекта макроса 0 см-2
Годная к употреблению область > 90% (исключение края)
Пакет Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 6 PCS, под атмосферой азота

Приложение: Диаграмма угла miscut

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

Если δ1 = 0 ±0.5°, тогда (20-21)/, то (20-2 до 1) самолет с угла к -оси 0 ±0.5°.

Если δ2 = - 1 ±0.2°, тогда (20-21)/(20-2 до 1) самолет с угла к C-оси -, то 1 ±0.2°.

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Запрос Корзина 0