продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / IGBT Power Module /

Транзисторы IGBTs модуля силы IGW15N120H3 IGBT одиночное

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Транзисторы IGBTs модуля силы IGW15N120H3 IGBT одиночное wholesale
  • China Транзисторы IGBTs модуля силы IGW15N120H3 IGBT одиночное wholesale

Транзисторы IGBTs модуля силы IGW15N120H3 IGBT одиночное
Спросите последнюю цену
Номер детали :IGW15N120H3
Изготовитель :Технологии Infineon
Описание :IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
Категория :Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья :Транзисторы - IGBTs - одиночные
Серия :TrenchStop®
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации IGW15N120H3

Состояние части Активный
Тип IGBT Диафрагма поля зрения канавы
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) 1200V
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) 30A
Настоящий - пульсированный сборник (Icm) 60A
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A
Сила - Макс 217W
Переключая энергия 1.55mJ
Тип входного сигнала Стандарт
Обязанность ворот 75nC
Td (включено-выключено) @ 25°C 21ns/260ns
Условие испытаний 600V, 15A, 35 омов, 15V
Обратное время восстановления (trr) -
Рабочая температура -40°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие
Пакет/случай TO-247-3
Пакет прибора поставщика PG-TO247-3
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка IGW15N120H3

Обнаружение

Транзисторы IGBTs модуля силы IGW15N120H3 IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы IGW15N120H3 IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы IGW15N120H3 IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы IGW15N120H3 IGBT одиночное

Метки товара:

power igbt datasheet

mosfet igbt

transistor igbt
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4