продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13
Спросите последнюю цену
Номер детали :DMP2035UTS-13
Изготовитель :Включаемые диоды
Описание :MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации DMP2035UTS-13

Состояние части Активный
Тип FET Сток 2 P-каналов (двойной) общий
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 20V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 6.04A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 35 mOhm @ 4A, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1610pF @ 10V
Сила - Макс 890mW
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 8-TSSOP (0,173", ширина 4.40mm)
Пакет прибора поставщика 8-TSSOP
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка DMP2035UTS-13

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13

Метки товара:

pnp transistor array

npn transistor array

igbt saturation voltage
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4