продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AON5802ALS

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AON5802ALS wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AON5802ALS wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AON5802ALS
Спросите последнюю цену
Номер детали :AON5802ALS
Изготовитель :& альфы; Омега Полупроводник Inc.
Описание :MOSFET N-CH ДВОЙНОЕ DFN
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :*
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации AON5802ALS

Состояние части Покупка последнего раза
Тип FET -
Особенность FET -
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) -
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C -
Rds на (Макс) @ id, Vgs -
Id Vgs (th) (Макс) @ -
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds -
Сила - Макс -
Рабочая температура -
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 6-WDFN подвергло пусковая площадка действию
Пакет прибора поставщика 6-DFN (2x5)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка AON5802ALS

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AON5802ALSМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AON5802ALSМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AON5802ALSМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AON5802ALS

Метки товара:

metal oxide semiconductor field effect transistor

what is field effect transistor

junction field effect transistor
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4