продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTHD3100CT1G

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTHD3100CT1G wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTHD3100CT1G wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTHD3100CT1G
Спросите последнюю цену
Номер детали :NTHD3100CT1G
Изготовитель :НА полупроводнике
Описание :MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации NTHD3100CT1G

Состояние части Активный
Тип FET N и P-канал
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 20V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 2.9A, 3.2A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1.2V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 165pF @ 10V
Сила - Макс 1.1W
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 8-SMD, плоское руководство
Пакет прибора поставщика ChipFET™
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка NTHD3100CT1G

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTHD3100CT1GМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTHD3100CT1GМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTHD3100CT1GМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTHD3100CT1G

Метки товара:

npn transistor array

bcd semiconductor

igbt saturation voltage
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4