VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
Назад - совместимый к VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- Поддерживает приборы DDR3L для того чтобы быть назад совместимый в применениях 1.5V
Дифференциальный двухнаправленный строб данных
архитектура prefetch 8n-bit
Номинальное и динамическое прекращение на-плашки (ODT) для данных, строба, и сигналов маски
Programmable латентность (ПРОЧИТАННОГО) CAS (CL)
Programmable вывешенная латентность CAS аддитивная (AL)
Programmable латентность CAS (НАПИШИТЕ) (CWL)
Зафиксированная разрыванная длина (BL) 8 и разрыванной отбивной котлеты (ДО РОЖДЕСТВА ХРИСТОВА)

Спецификации

Атрибут продукта	Атрибут со значением
Изготовитель:	Технология микрона
Категория продукта:	Вспышка NAND
RoHS:	Детали
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	TSOP-48
Серия:	MT29F
Размер запоминающего устройства:	2 Gbit
Тип интерфейса:	Параллельный
Организация:	128 m x 16
Приурочивая тип:	Асинхронный
Ширина шины данных:	бит 16
Подача напряжения - минута:	2,7 v
Подача напряжения - Макс:	3,6 v
Течение поставки - Макс:	35 мам
Минимальная рабочая температура:	0 c
Максимальная рабочая температура:	+ 70 c
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Упаковка:	Вьюрок
Бренд:	Микрон
Тип памяти:	NAND
Продукт:	Вспышка NAND
Тип продукта:	Вспышка NAND
Стандарт:	Не поддержанный
	1000
Subcategory:	Память & хранение данных
Тип:	Отсутствие блока ботинка

СХЕМА ДАННЫХ ЗАГРУЗКИ

Применение

Ultrabook/конвертеры тетради DC/DC
Многофазовое Vcore и решения ГДР
Самец оленя Пункт--нагрузки одновременный в NetworkingTelecom, и компьютерные системы
Системы батареи использующие энергию
Портативные применения HDMI
Применения USB-OTG
Сотовые телефоны, умные телефоны

Процесс заказа

Добавьте части к форме RFQ	Представьте RFQ	Мы отвечаем в течение 24 часов
Вы подтверждаете заказ	Оплата	Корабль вне ваш заказ

Больше моделей обломока IC памяти

Применение

Диаграмма обломока

Метки товара:

flash memory datasheet

pentium 3 ram

Запрос Корзина 0