Микросхема интегральной схемы M41T56M6E 512-битная (64-битная x8) последовательная память TIMEKEEPER SRAM

М41Т56
512-битный (64-битный x8) последовательный доступ TIMEKEEPER® SRAM

ОБЗОР ОСОБЕННОСТЕЙ
■ 5В ±10% НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ
■ СЧЕТЧИКИ СЕКУНД, МИНУТ, ЧАСОВ, ДНЯ, ДАТЫ, МЕСЯЦА, ГОДА И СТОЛЕТИЯ
■ СООТВЕТСТВИЕ 2000 ГОДУ
■ ПРОГРАММНАЯ КАЛИБРОВКА ЧАСОВ
■ АВТОМАТИЧЕСКОЕ ОБНАРУЖЕНИЕ СБОЯ ПИТАНИЯ И ЦЕПЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
■ СОВМЕСТИМОСТЬ С ШИНОЙ I 2C
■ 56 БАЙТ ОЗУ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
■ СВЕРХМАЛЫЙ ТОК ПИТАНИЯ БАТАРЕИ 450 нА
■ НИЗКИЙ РАБОЧИЙ ТОК 300 мкА
■ РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА ОТ –40 до 85°C
■ АВТОМАТИЧЕСКАЯ КОМПЕНСАЦИЯ ВИСОСИСОГО ГОДА
■ ПРОГРАММИРУЕМЫЙ СПЕЦИАЛЬНЫМ ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ ВЫХОД
■ ВАРИАНТЫ УПАКОВКИ:
– 28-выводный SOIC и SNAPHAT® TOP (заказывается отдельно)
- SO8

Рис. 1. 8-контактный корпус SOIC


Рис. 2. 28-контактный корпус SOIC


КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ
M41T56 TIMEKEEPER® представляет собой маломощную 512-разрядную статическую КМОП-память, состоящую из 64 слов по 8 бит.Встроенный генератор 32 768 Гц (управляемый внешним кристаллом) и первые 8 байт ОЗУ используются для функции часов/календаря и сконфигурированы в двоично-десятичном формате (BCD).Адреса и данные передаются последовательно по двухлинейной двунаправленной шине.Встроенный адресный регистр автоматически увеличивается после каждого байта данных WRITE или READ.
Часы M41T56 имеют встроенную схему контроля питания, которая обнаруживает сбои питания и автоматически переключается на питание от батареи при сбоях питания.Энергия, необходимая для поддержания работы оперативной памяти и часов, может быть получена от небольшой литиевой батарейки типа «таблетка».
Типичное время хранения данных превышает 10 лет для литиевого элемента емкостью 50 мА·ч, 3 В.M41T56 поставляется в 8-выводном пластиковом корпусе SOIC или 28-выводном корпусе SNAPHAT®.
28-контактный разъем SOIC диаметром 330 мил имеет разъемы с позолоченными контактами на обоих концах для прямого подключения к отдельному корпусу SNAPHAT, содержащему батарею и кристалл.Уникальная конструкция позволяет устанавливать блок батарей SNAPHAT поверх корпуса SOIC после завершения процесса поверхностного монтажа.Установка корпуса SNAPHAT после оплавления предотвращает потенциальное повреждение батареи и кристалла из-за высоких температур, необходимых для поверхностного монтажа устройства.Корпус SNAPHAT имеет ключ для предотвращения обратной вставки.Комплекты SOIC и батареи/кристалла поставляются отдельно в пластиковых антистатических тубах или в форме ленты и катушки.
Осторожность: Не помещайте батарею/кристалл SNAPHAT «M4Txx-BR12SH» в токопроводящую пену, так как это приведет к разрядке литиевой батарейки-таблетки.

Рисунок 3. Логическая схема


Абсолютные максимальные значения

Примечание: 1. Для корпуса SO, стандартное (SnPb) свинцовое покрытие: оплавление при пиковой температуре 225°C (общий тепловой баланс не должен превышать 180°C в течение 90–150 секунд).
2. Для корпуса SO, бессвинцовая (бессвинцовая) отделка: оплавление при пиковой температуре 260°C (общий тепловой бюджет не должен превышать 245°C в течение более 30 секунд).

ПРЕДОСТЕРЕЖЕНИЕ: Отрицательные выбросы ниже –0,3 В не допускаются на любом контакте в режиме резервного питания от батареи.
ВНИМАНИЕ: НЕ припаивайте SOIC волной, чтобы не повредить разъемы SNAPHAT.

Рисунок 4. 8-контактный разъем SOIC Рисунок 5. 28-контактный разъем SOIC


Рисунок 6. Блок-схема


Предложение акций (Горячая продажа)