CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / MCU Microcontroller Unit /

COP8SCR9HVA8 8-разрядный микроконтроллер на базе флэш-памяти CMOS с интегральной схемой, 32 КБ памяти, виртуальной EEPROM и защитой от понижения напряжения

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

COP8SCR9HVA8 8-разрядный микроконтроллер на базе флэш-памяти CMOS с интегральной схемой, 32 КБ памяти, виртуальной EEPROM и защитой от понижения напряжения

Спросите последнюю цену
Номер модели :COP8SCR9HVA8
Место происхождения :первоначальный
Количество минимального заказа :20pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :5200PCS
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :Пожалуйста свяжитесь я для деталей
Описание :ВСПЫШКА 44PLCC IC MCU 8BIT 32KB
Подача напряжения (VCC :7V
Напряжение тока на любом Pin :−0.3V к VCC +0.3V
Полное течение в VCC Pin (источник) :200 мам
Полное течение из Pin GND (раковина) :200 мам
Диапазон температур хранения :−65˚C к +140˚C
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

8-разрядный микроконтроллер на базе флэш-памяти CMOS с 32 КБ памяти, виртуальной EEPROM и защитой от понижения напряжения


Общее описание

Микроконтроллеры COP8SBR9/SCR9/SDR9 на базе флэш-памяти представляют собой высокоинтегрированные устройства ядра COP8™ Feature с 32-килобайтной флэш-памятью и расширенными функциями, включая виртуальную EEPROM, высокоскоростные таймеры, USART и сброс при снижении напряжения.Это одночиповое КМОП-устройство подходит для приложений, требующих полнофункционального внутрисистемного перепрограммируемого контроллера с большим объемом памяти и низким уровнем электромагнитных помех.Одно и то же устройство используется для разработки, подготовки к производству и серийного производства с рядом инструментов разработки программного и аппаратного обеспечения COP8.

КЛЮЧЕВАЯ ОСОБЕННОСТЬ

►32 кбайт флэш-памяти программ с функцией безопасности

► Виртуальная EEPROM с использованием флэш-памяти программ

►1 кбайт энергозависимой оперативной памяти

►USART со встроенным генератором бод

► 2,7–5,5 В внутрисистемное программирование флэш-памяти

► Высокая надежность — 100 тыс. циклов чтения/записи

►Превосходное хранение данных — 100 лет

►Двойная работа часов с режимами энергосбережения HALT/IDLE

Блок-схема

Абсолютные максимальные значения

Если требуются устройства, указанные в военных/аэрокосмических целях, обратитесь в офис продаж/дистрибьюторов National Semiconductor для получения информации о наличии и спецификациях.

Напряжение питания (VCC) 7 В

Напряжение на любом выводе от −0,3 В до VCC +0,3 В

Общий ток на контакте VCC (источник) 200 мА

Общий ток на выводе GND (Sink) 200 мА

Диапазон температур хранения от −65°C до +140°C

Уровень защиты от электростатического разряда 2 кВ (модель человеческого тела)

ФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ОПИСАНИЕ

Организация функции ISP состоит из пользовательской флэш-памяти программ, заводского загрузочного ПЗУ и некоторых регистров, предназначенных для выполнения функции ISP.См. рис. 13 для упрощенной блок-схемы.Установленный на заводе ISP, использующий MICROWIRE/PLUS, находится в загрузочном ПЗУ.Размер загрузочного ПЗУ составляет 1 КБ, а также содержит код для облегчения возможности эмуляции системы.Если пользователь решит написать свою собственную процедуру ISP, она должна быть расположена во флэш-памяти программ.

Запрос Корзина 0