CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC Chip /

Электронный чип CY7C1328G-133AXI Микросхема интегральной схемы 4 Мбит (256K x 18) Конвейерная DCD Sync SRAM

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

Электронный чип CY7C1328G-133AXI Микросхема интегральной схемы 4 Мбит (256K x 18) Конвейерная DCD Sync SRAM

Спросите последнюю цену
Номер модели :CY7C1328G-133AXI
Место происхождения :Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :8100pcs
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :Пожалуйста свяжитесь я для деталей
Описание :SRAM - Одновременный, память IC 4.5Mbit SDR проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 4 ns 100
Температура хранения :– 65°C к +150°C
Температура окружающей среды с силой прикладной :– 55°C к +125°C
Подача напряжения на VDD по отношению к GND :– 0.5V к +4.6V
Подача напряжения на VDDQ по отношению к GND :– 0.5V к +VDD
Ввод напряжения DC :– 0.5V к VDD + 0.5V
Настоящий в выходы (НИЗКИЕ) :20 мам
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

CY7C1328G 4-Мбит (256K x 18) конвейерная синхронизация DCD SRAM

Функции

• Зарегистрированные входы и выходы для конвейерной работы

• Оптимально для производительности (отмена двойного цикла)

— Расширение глубины без состояния ожидания

• Общая архитектура ввода-вывода 256K × 18

• Основной источник питания 3,3 В (VDD)

• Источник питания 3,3 В/2,5 В/В (VDDQ)

• Быстрое время от тактовой частоты до вывода

— 2,6 нс (для 250-мегагерцового прибора)

• Обеспечьте высокую скорость доступа 3-1-1-1

• Выбираемый пользователем счетчик пакетов, поддерживающий чередующиеся или линейные последовательности пакетов Intel® Pentium®

• Отдельные адресные стробы процессора и контроллера

• Синхронная самосинхронная запись

• Включение асинхронного выхода

• Доступен в бессвинцовом 100-контактном корпусе TQFP.

• Опция спящего режима «ZZ»

Функциональное описание

CY7C1328G SRAM объединяет 256K x 18 ячеек SRAM с усовершенствованной синхронной периферийной схемой и двухбитным счетчиком для внутренней пакетной операции.Все синхронные входы управляются регистрами, управляемыми тактовым входом, запускаемым положительным фронтом (CLK).Синхронные входы включают в себя все адреса, все входы данных, адресную конвейерную обработку чипа (CE1), расширение чипа по глубине (CE2 и CE3), входы управления пакетами (ADSC, ADSP и ADV), запись разрешений (BW[A: B] и BWE), а также Global Write (GW).Асинхронные входы включают в себя активацию выхода (OE) и контакт ZZ.

Адреса и разрешения чипа регистрируются по переднему фронту тактового сигнала, когда активны либо процессор адресного строба (ADSP), либо контроллер адресного строба (ADSC).Последующие адреса пакетов могут быть сгенерированы внутри под управлением вывода Advance (ADV).

Адрес, входы данных и элементы управления записью зарегистрированы на кристалле, чтобы инициировать самосинхронный цикл записи. Эта часть поддерживает операции записи байтов (дополнительные сведения см. в описании выводов и таблице истинности).Циклы записи могут иметь ширину от одного до двух байтов в зависимости от управляющих входов записи байтов.GW active LOW вызывает запись всех байтов.Это устройство включает в себя дополнительный конвейерный регистр включения, который задерживает выключение выходных буферов на дополнительный цикл при выполнении отмены выбора. Эта функция позволяет расширять глубину без снижения производительности системы.

CY7C1328G работает от основного источника питания +3,3 В, в то время как все выходы работают от источника питания +3,3 В или +2,5 В.Все входы и выходы совместимы со стандартом JEDEC JESD8-5.

Максимальные рейтинги

(При превышении этого срока срок службы может сократиться. Для руководства пользователя, не тестировалось.)

Температура хранения ................................................ .... от –65°C до +150°C

Температура окружающей среды при включенном питании..................... от –55°C до +125°C

Напряжение питания на ВДДОтносительно GND ........................ от –0,5 В до +4,6 В

Напряжение питания на ВДДКОтносительно GND ........................ от –0,5 В до +ВДД

Напряжение постоянного тока, подаваемое на выходы в трехфазном соединении..................... от –0,5 В до ВДДК+0,5В

Входное напряжение постоянного тока ....................................................... ........ от –0,5 В до ВДД+0,5В

Ток на выходах (НИЗКИЙ) ................................................ ................. 20 мА

Напряжение статического разряда................................................... ................ > 2001В

(согласно MIL-STD-883, метод 3015)

Ток защелки .................................................. ...................... > 200 мА

Функциональная блок-схема

Схема пакета

Предложение акций (Горячая продажа)

Деталь № Кол-во МФГ ОКРУГ КОЛУМБИЯ Упаковка
MC78L15ACDR2G 30000 НА 10+ СОП-8
MC74HC32ADR2G 25000 НА 10+ СОП
MC14093BDR2G 30000 НА 16+ СОП
A2C11827-BD 3000 СТ 11+ HSOP20
ЛМ337Д2ТР4 5991 НА 13+ ТО-263
LTC6090CS8E 6129 ЛИНЕЙНЫЙ 15+ СОП
ПК817С 25000 ОСТРЫЙ 16+ ОКУНАТЬ
LT1170CQ 5170 ЛИНЕЙНЫЙ 14+ ТО-263
ATMXT768E-CUR 3122 АТМЕЛЬ 12+ ВФБГА96
ЛМ809М3Х-4,63 10000 НБК 14+ СОТ-23-3
PIC12F510-И/П 5453 МИКРОЧИП 16+ ОКУНАТЬ
30578 1408 БОШ 10+ КФП-64
ЛМ4040АИМ3-2,5 10000 НБК 15+ СОТ-23
ЛП38692МП-3.3 3843 НБК 15+ СОТ-223
ЛПК4330ФЕТ256 2411 15+ ТФБГА-256
ЛАА120П 2674 CPCLARE 15+ СОП8
MCP42010-I/SL 5356 МИКРОЧИП 16+ СОП
ЛМ3940ИМП-3.3 10000 НБК 15+ СОТ-223
MAX668EUB-T 5418 МАКСИМ 16+ MSOP
MAX16054AZT+ 6100 МАКСИМ 15+ СОТ
PCA9555PW 12520 11+ ТССОП

Запрос Корзина 0