
Add to Cart
Электроника IC обломока транзистора Electrnocs диода IPD60R380C6 Recitifier компонентная
Транзистор влияния поля полупроводника металлической окиси MOSFET
ОСОБЕННОСТИ
• Весьма - низкие потери должные к очень низкому FOM Rdson*Qg и Eoss
• Очень высокая пересеченность коммутирования • Легкий использовать/привод
• JEDEC1) квалифицировало, Pb свободная от плакировка, галоид free2)
Описания
транзистор силы IPD60R380C6 штыря 3 600V CoolMOS™ C6 источника штыря 1 ворот штыря 2 стока, IPI60R380C6 IPB60R380C6, Rev. 2,0 листа 2 IPP60R380C6 IPA60R380C6 FinalData, 2009-08-27
1 описание CoolMOS™ революционная технология для высоковольтных MOSFETs силы, конструированная согласно принципу superjunction (SJ) и pioneered технологиями.
Серия CoolMOS™ C6 совмещает опыт ведущего поставщика MOSFET SJ с высоким нововведением класса. Приводя приборы обеспечить все преимущества быстрого MOSFET переключения SJ пока не жертвующ простоту в использовании.
Весьма - низкие переключение и потери при теплопроводности делают переключая применения даже более эффективный, более компактный, лихтер, и охладитель.
Применения
Этапы PFC, крепко переключая этапы PWM и резонирующие этапы переключения PWM для например ПК Silverbox, переходник, ТВ LCD & PDP, освещение, сервер, телекоммуникации, UPS и солнечное.
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (1)
VDS @ Tj, максимальное 650 v RDS (дальше), максимальное 0,38 Qg, тип 32 ID nC, ИМП ульс 30 a ΜJ 400V 2,8 Eoss @ Диод di/dt 500 A/µs тела |
TRANS BC847BLT1 | 18000 | НА | КИТАЙ |
RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | КИТАЙ |
RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | КИТАЙ |
DIODO DF06S | 3000 | СЕНТЯБРЬ | КИТАЙ |
КРЫШКА 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | ЯПОНИЯ |
DIODO US1A-13-F | 50000 | ДИОДЫ | МАЛАЙЗИЯ |
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | ЯПОНИЯ |
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | КИТАЙ |
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | КИТАЙ |
DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | МАЛАЙЗИЯ |
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | КИТАЙ |
БОЕПРИПАСЫ DIODO UF4007 | 500000 | MIC | КИТАЙ |
TRANS. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | ТАЙВАНЬ |
RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | КИТАЙ |
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | ТАЙВАНЬ |
TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | ДИОДЫ | МАЛАЙЗИЯ |
TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | МАЛАЙЗИЯ |
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | ТАИЛАНД |
C.I MC33298DW | 1000 | MOT | МАЛАЙЗИЯ |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | МАЛАЙЗИЯ |
C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | ЯПОНИЯ |
C.I HM6116P-2 | 5000 | ХИТАЧИ | ЯПОНИЯ |
C.I DS1230Y- 150 | 2400 | ДАЛЛАС | ФИЛИППИНЫ |
TRANS. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | ТАЙВАНЬ |
ТРИАК BT151-500R | 500000 | МАРОККО | |
C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | ТАЙВАНЬ |
ТРИАК TIC116M | 10000 | TI | ТАИЛАНД |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | МАЛАЙЗИЯ |
DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | МАЛАЙЗИЯ |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | ТАЙВАНЬ |
C.I CD40106BE | 250 | TI | ТАИЛАНД |
ACOPLADOR PC733H | 1000 | ДИЕЗ | ЯПОНИЯ |
TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | МАЛАЙЗИЯ |
CI LP2951-50DR | 1200 | TI | ТАИЛАНД |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | НА | МАЛАЙЗИЯ |
DIODO MBR20200CTG | 22000 | НА | МАЛАЙЗИЯ |
FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | ТАЙВАНЬ |
C.I TPIC6595N | 10000 | TI | ТАИЛАНД |
EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | МАЛАЙЗИЯ |
DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | КИТАЙ |
C.I CD4060BM | 500 | TI | ТАИЛАНД |
ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | МАЛАЙЗИЯ |
DIODO W08 | 500 | СЕНТЯБРЬ | КИТАЙ |
C.I SN74HC373N | 1000 | TI | ФИЛИППИНЫ |
PHOTOSENSOR 2SS52M | 500 | Honeywell | ЯПОНИЯ |
C.I SN74HC02N | 1000 | TI | ТАИЛАНД |
C.I CD4585BE | 250 | TI | ТАИЛАНД |
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | МИКРОН | МАЛАЙЗИЯ |
DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | НА | МАЛАЙЗИЯ |