CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
Транзисторы Autoprotected VND3NV0413TR Mosfet силы короткого замыкания
Особенности
| Тип | RDS (дальше) | Ilim | Vclamp |
|
VNN3NV04 VNS3NV04 VND3NV04 VND3NV04-1 |
mΩ 120 | 3,5 a | 40 v |
■Линейное настоящее ограничение
■Термальное выключение
■Предохранение от короткого замыкания
■Интегрированная струбцина
■Низкоточное нарисованное от штыря входного сигнала
■Диагностическая обратная связь через штырь входного сигнала
■Предохранение от ESD
■Сразу доступ к воротам MOSFET силы (управлять аналога)
■Совместимый со стандартным MOSFET силы в согласии с. - европейской директивой 2002/95/E
Описание
VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, монолитовые приборы конструированные в технологии STMicroelectronics VIPower M0-3, запланированной для замены стандартных MOSFETs силы от DC применения до 50 КГц. Построенный в термальном выключении, линейном настоящем ограничении и струбцине перенапряжения для защиты обломока в жестких окружающих средах.
Обратная связь недостатка может быть обнаружена путем контролировать напряжение тока на штыре входного сигнала.
Сводка прибора
| Пакет | Коды заказа | |||
| Трубка | Трубка (неэтилированная) | Лента и вьюрок | Свяжите тесьмой и намотайте (неэтилированный) | |
| SOT-223 | VNN3NV04 | - | VNN3NV0413TR | - |
| SO-8 | VNS3NV04 | - | VNS3NV0413TR | - |
| TO-252 | VND3NV04 | VND3NV04-E | VND3NV0413TR | VND3NV04TR-E |
Блок-схема и описание штыря