CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Electronic IC Chips /

Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon

Спросите последнюю цену
Номер модели :MJD112T4G
Место происхождения :Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :8600pcs
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :Пожалуйста свяжитесь я для деталей
Описание :Двухполярный транзистор (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 v 2 держатель DPAK 25MHz 20 w поверхностный
Напряжение тока Collector−Emitter :100 VDC
Напряжение тока Collector−Base :100 VDC
Напряжение тока Emitter−Base :5 Vdc
Ток базы :mAdc 50
Диссипация полной силы @ TC = 25°C :20 Вт
Диапазон температур соединения работать и хранения :−65 к °C +150
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

Комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon

DPAK для поверхностных применений держателя

ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ

2 АМПЕРА

100 ВОЛЬТ

20 ВАТТ

Конструированный для общецелевой силы и переключать как выход или задающие каскады в применениях как регуляторы переключения, конвертеры, и усилители силы.

Особенности

• Пакеты Pb−Free доступны

• Руководство сформированное для поверхностных применений держателя в пластиковых рукавах (никакой суффикс)

• Прямая версия руководства в суффикс пластиковых рукавов ("−1»)

• Версия сформированная руководством в ленте 16 mm и вьюрке («T4» и суффикс «RL»)

• Электрически подобный популярной серии TIP31 и TIP32

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ

Оценка Символ Макс Блок
Напряжение тока Collector−Emitter VCEO 100 Vdc
Напряжение тока Collector−Base VCB 100 Vdc
Напряжение тока Emitter−Base VEB 5 Vdc

− течения сборника непрерывное

Пик

IC

2

4

Adc
Ток базы IB 50 mAdc

Диссипация полной силы @ TC = 25°C

Derate над 25°C

PD

20

0,16

W

W/°C

Полные ЖИВОТИКИ Dissipation* силы @ = 25°C

Derate над 25°C

PD

1,75

0,014

W

W/°C

Диапазон температур соединения работать и хранения TJ, Tstg −65 до +150 °C

Максимальные оценки те значения за которое повреждение прибора может произойти. Максимальные оценки приложили к прибору индивидуальные предельные значения стресса (нормальные эксплуатационные режимы) и инвалидны одновременно. Если эти пределы превышены, то деятельность прибора функциональная не подразумевается, повреждение может произойти и надежность может быть затронута.

ОТМЕЧАТЬ ДИАГРАММЫ

РАЗМЕРЫ ПАКЕТА

DPAK

СЛУЧАЙ 369C

ВОПРОС O

DPAK−3

СЛУЧАЙ 369D−01

ВОПРОС B

Запрос Корзина 0